绝缘体上硅相关论文
功率集成电路技术是连接信息世界和现实世界的重要技术。集成电路技术不仅带来了信息技术、人工智能技术的蓬勃发展,而且对其他产......
作为单片智能功率芯片的核心功率器件,绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管（Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar T......
近几十年来,集成电路技术飞速发展,集成度不断地提高,性能不断增强,然而受限于其物理性质的限制,集成电路的速率、延迟和功耗等逐......
100V横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）被广泛应用于汽车电子及智能......
单片智能功率芯片具有高低压兼容、集成度高以及寄生参数小的特点,广泛应用于中小功率家用电器领域。厚膜绝缘体上硅横向绝缘栅双......
随着功率集成技术的不断发展,横向双扩散金属氧化物半导体场效应管（Lateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor,LDMOS）因其......
近年来,伴随着全球通信网络中数据流量的指数型增长,对高速数据传送的需求也日益强烈,光通信技术因其容量大、低成本、速度快且不......
波导布拉格光栅是一种在光通信中具有重要作用的光子器件,它通过传输模式之间的相位匹配能够实现对入射波的反射。与传统的光纤布......
设计了一种适用于SOI硅微剂量阵列探测器的单通道前端读出电路.针对SOI硅微剂量阵列探测器读出信号的特点,设计了电荷放大级、极零......
基于中国科学院微电子研究所开发的0.35μmSOI工艺，制备了深亚微米PDSOI H型栅nMOSFETs。在不同温度下进行了加速应力实验，结果表明......
单粒子事件成为影响航天器的在轨寿命和可靠性的重要因素，提高SRAM的抗单粒子能力，正成为当前电子元器件抗辐射加固领域的研究重点之......
在中国原子能科学研究院HI-13串列加速器上对中国科学院微电子研究所的8K×8SOI SRAM进行了单粒子效应实验。数据由存储器辐射效应......
本文在国内首次提出了在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的FPGA的设计方法，SOI基FPGA是当前集成电路产业的一个前沿课题，国外......
在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10......
波分复用/解复用器与可调光衰减器的是光通信系统中的重要元器件。为了得到制备工艺简单、响应速度快的二者的单片集成芯片, 并且......
研究了基于绝缘体上硅(SOI)单环以及双环谐振器直通端的滤波特性, 分析了直波导-环波导光耦合系数和环间波导光耦合系数对输出特性......
绝缘体上硅(SOI)提供了一种 “Si/SiO2/Si”三层结构,采用深度反应离子刻蚀(DRIE)工艺,利用其中的二氧化硅绝缘层作为刻蚀自停止层......
基于绝缘体上硅(SOI)制作了单环及双环滤波器,并且对其滤波特性进行研究的同时分析了光耦合系数对滤波器输出特性的影响.针对倏逝......
针对硅微纳米薄膜热导率存在严重尺度效应的问题,提出一种等效边界散射自由程近似的全耗尽绝缘体上硅(FD SOI)金属氧化物半导体场......
本文针对辐射前后部分耗尽结构绝缘体上硅（SOI）器件的电学特性与低频噪声特性开展试验研究.受辐射诱生埋氧化层固定电荷与界面态的影......
Subwavelength grating(SWG) waveguides in silicon-on-insulator are emerging as an enabling technology for implementing co......
设计了一种可用于阵列波导光栅（AWG）解调集成微系统的绝缘体上硅（SOI）基2×2多模干涉（MMI）耦合器,用光束传播法（BPM）对MMI耦合器进行了......
ＳＯＩ器件应用展望东立摘编绝缘体上硅（ＳＯＩ）衬底以优良的材料特性和适中的价格／性能比，使其成为高性能ＩＣ技术开发的热点。自８０年代末，人们对ＳＯＩ衬底技术......
将于明年２月在美举行的国际固体器件电路会议以“多媒体”为主题，论文多达１６０篇，香港及澳大利亚的论文首次人选。被誉为半导体奥林匹克（芯......
在SIMOX材料的背面成功地制备了多孔硅层,再在正面故意注入1×1015cm-2剂量的铜杂质。经900℃退火,二次离子质谱（SIMS）测试表明钢杂......
回顾ＬＳＩ的发展历史，Ａｌ布线取得了巨大的成功。铜（Ｃｕ）布线与之相比，最大的优势是电阻更低，抗电迁移性强，因此随着器件频率的提高尤其是高速微处理......
采用数值模拟分析了双降场层SOI-LIGBT击穿电压与SOI层厚度和隔离SiO2层厚度的关系,分析了阳极短路面积比对器件正向压降、关断时......
本文在对 p+ p p+ 结构薄膜全耗尽积累型 SOI MOS器件导电机理和基本特性研究的基础上 ,进一步研究了实验样品在 (2 7～ 30 0℃ )宽......
据《中国电子报》报道,铜和低 K 介电互联材料的引入表明,改变材料是很困难的。在前不久举行的 VLSI 技术研讨会上,技术专家积极......
研制了两种薄膜 SOI高压 MOSFET,一种是一般结构 ,另一种是新的双漂移区结构 .两者的栅宽均为76 0μm,有源区面积为 8.5 8× 10 - ......
绝缘体上硅芯片 (SOI)是将绝缘层嵌入到晶圆中,用于IC和微芯片制造的半导体制造技术。在有效减少电气损耗的同时,嵌入的绝缘层显著......
CMOS开关已经引起了从事RF设计的工程师们的关注,其中的原因是多方面的。首先,CMOS开关价格低廉,同时其结构简洁并且没有双电压控......
对薄膜积累型SOIpMOSFET的制备和特性进行了研究 .把一些特性和反掺杂型SOIpMOSFET进行了比较 .其亚阈值斜率只有 6 9mV/decade ,......
绝缘体上硅(SOI,silicon-on-insulator)作为CMOS的改进技术,于1978年被推出,这种技术能够提高器件速度、降低功耗、减小软误差、抗......
当模拟芯片设计师在其器件中采用绝缘体上硅(SOI)衬底时,常常是为了扩充这些器件的高速性能。当您在位于(通常是)硅氧化物的某一深......
ASMInternationalN.V.于2006年2月12日在荷兰比尔图文市宣布其为63全球首家将300mm外延设备销售到中国大陆的公司。预定于2005年第......
报道了一个新的基于锥形多模干涉的相干光波合波器.对锥形多模波导中的模式行为给出了完整的理论分析,并给出了该锥形合波器在不同......
将Ti硅化物-p型体区形成的反偏肖特基势垒结构引入绝缘体上硅动态阈值晶体管.传统栅体直接连接DTMOS,为了避免体源二极管的正向开......
提出了新型全耗尽SOI平面双栅动态阈值nMOS场效应晶体管,模拟并讨论了器件结构、相应的工艺技术和工作机理.对于nMOS器件,背栅n阱......
分别采用不同的背栅沟道注入剂量制成了部分耗尽绝缘体上硅浮体和H型栅体接触n型沟道器件.对这些器件的关态击穿特性进行了研究.当......
基于绝缘体上硅技术,提出并研制动态阈值nMOSFETs结构.阐述了动态阈值nMOSFETs的工作原理.动态阈值nMOSFETs的阈值电压从VBS=0V时......
据Sematech研究员Rusty Harris所述,CMOS技术未来可能会从现今半导体工业的(100)取向硅晶圆转向使用(110)取向的晶圆。根
Accordi......
在绝缘体上硅衬底上,制备了栅长为0.5μm的低势垒体接触结构和源体紧密接触结构的横向双扩散功率晶体管.详细研究了器件的背栅特性......
ARM公司近日在IEEE SOI会议上发布了一款绝缘体上硅(SOI)45纳米测试芯片的测试结果。测试结果表明,相较于采用传统的体效应工艺(bu......
