SOI-LIGBT器件短路振荡特性的研究

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作为单片智能功率芯片的核心功率器件,绝缘体上硅横向绝缘栅双极型晶体管(Silicon-On-Insulator Lateral Insulated Gate Bipolar Transistor,SOI-LIGBT)因其具有良好的集成性和易于驱动的优点,受到了广泛的关注。SOI-LIGBT器件的短路能力是决定单片智能功率芯片可靠性的关键因素之一。短路发生时的高压、大电流极易造成器件内部电学参数分布的不稳定,引起栅极振荡乃至芯片损坏,因此,改善SOI-LIGBT器件的短路振荡特性有着重要的意义。本文基于课题组与华润上华联合研发的SOI-LIGBT器件,从器件内部载流子、电场等电学参数变化和分布的角度研究其栅极振荡特性。研究发现,短路阶段器件载流子密度变化带来的电荷-场作用力使得器件表面电场峰值偏移,进而导致器件的栅极寄生电容不断变化,最终引起短路振荡。此外,实际应用中的栅极电阻和栅极寄生电感也会对器件的短路振荡情况产生影响。基于上述研究,本文提出了两种改进方案:一是通过增加集电极P+掺杂浓度来提高空穴注入;二是采用发射极P+/N+间隔结构来减少电子在发射极区域的积累。以上两种方案都能改善器件内部的载流子分布,优化电场分布,抑制短路振荡现象。仿真结果表明:增加集电极P+掺杂浓度和采用发射极P+/N+间隔结构后,SOI-LIGBT器件的击穿电压分别为583V和585V;电流密度分别为194A/cm~2和156A/cm~2;关断时间分别为108ns和89ns。在母线电压400V条件下,优化后的器件短路耐受时间分别为8.7μs和13μs,并且基本消除了原始结构存在的栅极电压振荡现象,达到了预期的指标要求。
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