二氧化钒薄膜相关论文
相变材料在光电开关、智能玻璃、相变储存和忆阻器等方面有着广泛的应用前景。二氧化钒作为一种典型的相变材料,因其在68℃附近表......
超表面是二维形态的超材料,通过在平面上周期或非周期排列人工设计的亚波长电磁结构,能够灵活控制电磁波的强度、相位、偏振、频率......
作为一种典型的相变材料,二氧化钒可以在光、电、热、压力等激励下发生从单斜相到四方相的相变。二氧化钒的相变伴随着材料光电性......
应用无机溶胶-凝胶法在玻璃基片上制得VO2薄膜样品,并研究了真空热处理温度和掺杂对VO2薄膜光电性能的影响.结果表明:在350,400,45......
VO2膜作为相变温度最接近室温的热致相变材料,相变前透过率高,探测器可正常工作,吸收来袭激光能量相变后透过率低,起到保护探测器......
采用直流磁控溅射法，结合氧化法热处理在硅基底上制备VO2薄膜，通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试，从多角度分析了氧化热处理对......
能够根据环境温度的变化而改变太阳红外辐射能量的窗户称之为智能窗或者灵巧窗。利用智能窗可以按照需要调节进入室内的能量，它能根......
该课题主要研究了以VO为基的抗激光致盲工作原理和VO薄膜制备的工艺,以大量的国内外文献作为参考独自摸索出了采用反应离子溅射以......
利用磁控反应溅射镀膜方法在低温(250℃)条件下制备了主要成分为B相亚稳态二氧化钒(VO2)的薄膜材料。电学性能测试表明:室温下该薄......
钒-氧化物在临界温度(T_c)会表现出独特的绝缘体—金属相变特性,并伴随着电阻和近红外波段透过率的突变行为。二氧化钒(VO_2)的T_c......
VO2因其较低的相变温度(68℃)而广泛被研究者研究,相变发生后,电导率、折射率和磁导率等性质会发生变化,能应用于热电、热光、热磁......
单晶二氧化钒在68℃附近会发生可逆的半导体-金属相变,相变发生在飞秒时间内并伴随着光电性能的骤变。这样的特性使得二氧化钒可以......
热致变色材料二氧化钒(VO_2)因其在68℃具有可逆金属-绝缘转变(MIT)而备受关注。本文使用Sol-Gel法以及高真空退火处理工艺成功制......
经济的快速增长、人口的急速膨胀、能源的日益匮乏,使得核工业的发展提上了日程。如何处理核废料的问题成为世界各国的关注点。一......
节能环保等功能建筑材料已成为全球性问题。据统计,采暖、制冷和采光所使用的能源所占建筑物总能耗的份额,目前在中国约达30%,而在......
二氧化钒(V02)是一种被广泛研究的具有热致相变特性的热敏材料。当温度升高到68℃附近,发生晶相的转变,相变前后光学,电学性能突变......
二氧化钒（VO2）是一种具有相变特性的功能材料，在大约68℃会发生从低温单斜半导体相向高温金红石四方晶金属相的转变。1959年F.J.Morin......
二氧化钒薄膜是一种新型热敏功能材料,这种材料的显著特点是,伴随温度上升,当温度提高到大约68℃,将从畸变金红石结构转变为四方金......
二氧化钒（VO2）的半导体-金属相变致使其光学性质发生显著变化，电导率也伴随着发生3-5个量级的改变。这一性质使得VO2的研究在光电子器......
摘要：二氧化钒是一种典型的热致相变化合物。随着温度的升高,在68℃时,二氧化钒会由低温半导体态转变为高温金属态(可逆),伴随着这......
二氧化钒(VO2)由于在68℃会发生金属-半导体相变而广为人知,在发生金属相变的过程中,VO2的晶格结构也会发生变化,由低温时的单斜相......
金红石M相二氧化钒(VO2)在68℃可发生半导体-金属相转变(MIT),随着相变的发生,其光学性质会发生明显的可逆变化,因而具有调节太阳......
太赫兹波(Terahertz,THz)是介于微波和红外波之间的电磁频谱。传统的高频电子器件和光学器件在THz频段不适用,因此对可应用在THz频......
VO_2晶体在68℃时会发生半导体(M相)-金属相(R相)转变,相变前后近红外光(太阳辐射热的主要波段)透过率会有很大变化。基于这一特性......
二氧化钒在室温下为半导体材料，具有单斜晶相；而在相变温度Tc=68℃时，转变成具有四方结构的金红石金属相。伴随相变，介电常数产生急剧......
VO2薄膜是一种功能材料，由于其独特的性质，在很多领域内具有潜在的应用价值。近年来VO2研究有了飞速的发展，尤其是VO2薄膜制备技术得......
过渡金属氧化物二氧化钒(VO2)在温度340K附近会发生金属-绝缘体的转变(Metal-Insulator Transition MIT).在发生MIT的同时,材料的......
相变存储器因其读写速度快、低功耗、可多值存储、能与CMOS工艺兼容等特点，是最有希望取代FLASH的下一代非易失型存储器之一。但由......
本文采用磁控反应溅射沉积，并结合热处理的方法制备了二氧化钒薄膜， 通过多个样品对比分析，研究了磁控溅射方法制备薄膜的主要......
本文采用射频磁控溅射的方法在多种衬底上沉积了高品质的VO_2薄膜;分析了VO_2薄膜的相变机理以及影响其相变过程的因素;利用X射线......
二氧化钒薄膜在68℃附近会发生从半导体特性的单斜结构位相到金属特性的金红石结构位相的可逆转变。伴随相变的发生，VO2薄膜的光学......
采用直流磁控溅射法,结合氧化法热处理在硅基底上制备VO_2薄膜,通过SEM、XRD、XPS、FTIR红外透射率等测试,从多角度分析了氧化热处......
将V2O5粉体与WO3粉体均匀混合并压制成靶,用离子束增强沉积加后退火技术在SiO2衬底上制备掺钨VO2多晶薄膜.X射线衍射表明,薄膜取向......
太赫兹技术在许多领域有非常广泛的应用前景,但高灵敏度的太赫兹探测和调制器件的缺乏限制了其应用范围,尤其是具备超快响应特性的......
基于二氧化钒薄膜在约68℃半导体和金属间的可逆相变，通过控制温度来实现高透过率到高反射率的转换，实现对光的调制作用．通过表面微机......
采用射频磁控溅射方法,在c-Al2O3（0001）基底上制备了不同钒钛比例的TixV1-xO2（0≤x≤1）薄膜,利用X射线衍射（XRD）、拉曼（Raman）光谱、紫外-......
为实现 VO2薄膜在激光防护应用中的最佳膜厚设计，采用椭圆偏振法测试分别得到 Si基底 VO2薄膜低温半导体态与高温金属态的光学常数，......
用离子束增强沉积制备高性能VO2薄膜,在溅射V2O5粉末靶的同时,用氩、氢混合束对沉积膜作高剂量离子注入,然后经500℃以上的退火,获......
用改进了的离子束增强沉积方法从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜，薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理，......
以氧化二乙酰丙酮合钒（C10H14O5V）为前驱体,乙醇钽[Ta（OC2H5）5]为掺杂剂,用溶胶-凝胶方法在Si（100）和SiO2/Si衬底上制备了V1-xTaxO2（x=0-0......
基于常温反应磁控溅射和热处理工艺，在硅片（100）衬底上，制备出了具有相变特性的二氧化钒（VO2）薄膜，采用XRD、SEM对薄膜的物相结构、表面形......
以石英片为基底，采用直流/射频磁控共溅射法制备了掺Al、掺Ti的VO2薄膜。对所制样品进行了电阻-温度关系、原子力显微镜、透射光谱......
二氧化钒作为一种极具应用潜力的功能材料，在智能窗、抗激光辐射以及温控开关等许多领域发挥着非常重要的作用．本文阐述了二氧化钒的......
报道了利用真空还原制备的VO2薄膜的红外透射光谱和Raman光谱,并进行370～900nm波段的光透射测试以及900nm波长的热滞回线特性测试,......
在68℃附近,二氧化钒薄膜就能实现低温半导体相和高温金属相之间的一级可逆相变,相变时二氧化钒薄膜的太赫兹透过率和反射率等都会......
