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用改进了的离子束增强沉积方法从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜，薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理，介绍了薄膜工艺的优化、薄膜性能测试和理论模拟的主要结果。讨论了利用IBED薄膜研制非制冷红外成像阵列的读出电路和微桥结构设计。
离子束增强沉积二氧化钒薄膜和器件的研究进展
【摘 要】
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用改进了的离子束增强沉积方法从V2O5粉末直接制备了VO2多晶薄膜，薄膜具有较高的温度系数和致密、稳定的结构。详细分析了成膜机理，介绍了薄膜工艺的优化、薄膜性能测试和理论
【机 构】
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江苏工业学院信息科学系功能材料实验室
【出 处】
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科学技术与工程
【发表日期】
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2004年1期
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