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本文采用射频磁控溅射的方法在多种衬底上沉积了高品质的VO_2薄膜;分析了VO_2薄膜的相变机理以及影响其相变过程的因素;利用X射线衍射仪(XRD)分析了VO_2薄膜的微结构,利用傅里叶红外光谱仪对VO_2薄膜的光学性能进行了研究,发现在特定温度下VO_2薄膜发生相变,其光学性能随之发生突变;并对VO_2薄膜在波长为1.319μm激光器照射下的相变特性进行了研究。结果表明,入射到薄膜表面的平均功率为8.9W,光斑直径2mm时,激光出光480ms后,VO_2薄膜的温度从室温上升到约100℃,薄膜发生了相