Ⅲ族氮化物相关论文
二维二硫化钨由于具有较高的激子结合能、可调的光学带隙、高的载流子迁移率和较强的自旋轨道耦合等优点,在光电子器件和逻辑电子......
Ⅲ族氮化物紫外发光二极管（Ultraviolet Light-Emitting Diode,UV LED）在杀菌消毒、医疗、气体传感和聚合物固化等领域具有广阔的应......
氮化物发光二极管（Light emitting diodes,.LED）在21世纪初取得了重大的突破,在通用照明领域取得了广泛应用,并逐渐取代白炽灯和日光......
为了掌握Ⅲ族氮化物微观结构对热力学性能的影响规律,进而为超高功率器件的设计提供数据支持,本文借助第一性原理计算软件CASTEP,......
由于高亮度蓝光和绿光 LED 已在很大程度上实现了商用化,因此目前人们对 GaN 及其合金的兴趣显然不仅仅只是好奇而已。然而仍有许......
目前信息的光和磁光记录与读出系统是非常重要的产品，它占高速增长的半导体激光市场的五分之一（2000年为60亿美元，增长率为108%）。这部......
1 引言以ＧａＮ及ＩｎＧａＮ、ＡｌＧａＮ合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料。其 1 .9- 6.2ｅＶ连续可变的直接带隙 ,优......
利用第一性原理计算方法密度泛函理论的局域密度近似计算了纤锌矿氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)及其合金在双轴应变下的......
通过分析对比蓝宝石衬底和金属衬底上外延生长Ⅲ族氮化物及相关器件的优缺点,指出了金属所具有的独特优异的物理及化学性能,以及金......
Ⅲ族氮化物半导体具有宽的直接带隙,很强的极化电场,优异的物理特性,是发展高频、高温、高功率电子器件和光电子器件的优选材料.同......
以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用。但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多......
1 引言rn以GaN及InGaN、AlGaN合金材料为代表的Ⅲ族氮化物材料是近几年来国际上倍受重视的新型半导体材料.其1.9-6.2eV连续可变的......
材料的力学特性与内部演化,在宏观尺度已经具有了较为完备的研究方法和理论模型。然而在纳米尺度上,其研究仍处于认识和发展阶段。......
发光二极管(Light Emitting Diodes,LEDs)具有体积小、能耗低、坚固耐用、高效环保等诸多优点,其主要制作材料为Ⅲ族氮化物。目前......
Ⅲ族氮化物材料（Al N、Ga N、In N）具有载流子寿命长,良好的化学和热稳定性等优点,是目前唯一已知的宽禁带、直接带隙且波长连续可调......
Ⅲ族氮化物的二维纳米材料因其独特的电子结构、良好的稳定性和优良的光电性能,在通讯、能源、半导体器件、光电子等领域展现出巨......
为了降低Ⅲ族氮化物材料和器件的成本 ,必须开发大尺寸的Ⅲ族氮化物MOVPE生长的反应器。本文报道了EMCORE公司的一种带有旋转盘的......
在紫外和可见光电子器件、高温电子学器件、冷阴极和太阳防护探测器的应用中 ,Ⅲ族氮化物是一类重要的材料。近年来 ,氮化物基的LE......
利用新研制出的垂直式低压 CVD(L PCVD) Si C生长系统 ,获得了高质量的 5 0 mm 3C- Si C/ Si(111)衬底材料 .系统研究了 3C- Si C......
Ⅲ族氮化物器件开发初期主要是使用无掺杂n型GaN层的MESFET,其后将目光转为具有二维电子气的异质结场效应管(HFET)。目前频率在数......
1993年第一只高亮度GaN基蓝光LED诞生,随即在全球掀起III族氮化物半导体研发热潮。经历20年的发展,III族氮化物半导体以其独特......
MSM是紫外探测器的一种很有吸引力的结构。回顾了近年来GaN和A1GaN的MSM结构紫外探测器的研究进展，介绍了目前先进的AIGaN材料体系M......
传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非......
本论文摘要集主要介绍半导体物理中有关低维物理、表面物理、表面与输运性质、Ⅲ族氮化物、宽禁带半导体及纳米半导体、纳米材料和......
Ⅲ族氮化物半导体材料广泛用于制造绿、蓝光至紫外波段的发光器件,有极其重要的应用价值.采用低维发光层和避免极化电场的影响是目......
Ⅲ族氮化物可用于InGaN/GaN基的蓝光和绿光LED，广泛应用于半导体照明与显示，而基于高Al组分的AlGaN基深紫外LED在便携高效的深紫外光......
石墨烯是一种二维材料，因为其原子呈六边形排列，与(0001)面的GaN或AlN结构相似，且多层石墨烯层间原子作用力弱易于撕裂，近几年一直被用......
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物具有禁带宽度大、击穿场强高、介电常数小等优点，且物理和化学性质稳定，在蓝光及紫外光等电器件中......
Ⅲ族-氮化物（GaN、BN等）在电子及光电子器件中具有重要应用，因而在晶体管、发光二极管、传感器和太阳能能源等器件领域已获得广泛研究......
Ⅲ族氮化物半导体由GaN、AlN、InN三种直接带隙化合物半导体及其组分可调的三元(InGaN、AlGaN、InAlN)四元(InAlGaN)合金组成，其禁......
Ⅲ族氮化物(InN，GaN，AlN)以及其三元合金(InGaN，InAlN，AlGaN)材料由于在新型光电器件开发领域的巨大潜力而备受瞩目。但是目前应用的沿......
学位
在Ⅲ族氮化物的研究蓬勃发展的当下，异质外延的困难导致衬底的选择十分受限，然而随着研究的深入和产业的发展，出现了许多具有优秀性质......
AlGa/GaN异质结构体系是目前发展Ⅲ族氮化物的高温、高频、大功率电子器件的最重要也是最基本的结构,深受国际上的关注.因此,AlGaN......
该论文针对目前Ⅲ族氮化物材料和器件研究的前沿问题,开展了三方面的研究:一是研究MOCVD生长的Si基氮化物的界面化学结构;二是以发......
本文利用低压金属有机物化学汽相沉积系统(LP-MOCVD)分别在c面蓝宝石(Sapphire)衬底和Si(111)衬底上外延生长六方相GaN单晶薄膜......
以氮化镓(GaN)为代表的Ⅲ族氮化物是当代最重要的半导体材料，它在全彩显示、半导体照明、军事、数字化存储等领域有着重要的用途。G......
近年来，Ⅲ族氮化物材料越来越受到人们的关注。由于Ⅲ族氮化物为直接带隙半导体材料，且具有独特的光电特性和优异的物理、化学特性使......
Ⅲ族氮化物半导体材料包括AlN、GaN、InN以及它们的三元、四元合金化合物。其中的AlN、AlGaN材料由于在紫外、深紫外波段的广阔的......
Ⅲ族氮化物作为带隙从0.7eV到6.2eV连续可调的直接宽带隙半导体材料体系,拥有优越的物理、化学性质,是发展近红外-可见-紫外波段半......
