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1引言Ⅲ族氮化物具有宽禁带、高击穿电压、异质结通道中高峰值电子漂移速度和高薄层电子浓度等特点,是大功率和高温半导体器件的理想材料.目前可实现的实用器件主要有:紫外探测器、X射线探测器、发光二极管、场效应晶体管、异质结双极晶体管、微波电子器件、高温电子器件等.目前最主要的、应用最广的Ⅲ族氮化物器件是紫外探测器和光发射器件.