【摘 要】
：
Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化,覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围,同时基于其优良的光电及化学性质,在制作光电子器件以及高温、高频、大功率电
论文部分内容阅读
Ⅲ族氮化物半导体材料的禁带宽度可从0.7eV到6.2eV连续变化,覆盖了从近红外到紫外波段光谱范围,同时基于其优良的光电及化学性质,在制作光电子器件以及高温、高频、大功率电子器件方面具有很大的优势和应用前景。对于Ⅲ族氮化物的结构及光电性质研究就显得相当重要,拉曼散射是研究半导体材料结构性质的重要手段之一,通过拉曼光谱研究InGaN材料性质具有科学意义。同时,Ⅲ族氮化物的低维量子结构具有奇特的光学、电学性质,因此探索生长高质量的氮化物半导体量子结构方法也是研究的重点。本文内容将主要分为两个部分。第一个部分重点研究In组分对InGaN合金拉曼散射(Raman)声子模式的影响。利用XRD衍射角度计算出InxGa1-xN薄膜合金In组份x范围为0.34≤x≤1。室温下拉曼散射光谱测量发现,该系列InxGa1-xN合金的Al(LO)与E2(high)声子模峰位随着In组分x的增加均向低波数移动,峰位随组分的关系满足单模模式的变化规律。变温(93K-673K)测量的拉曼散射光谱显示,由于晶格热膨胀和格点的非简谐振动的温度效应共同作用,InGaN的A1(LO)模峰位随着测量温度的升高向低波数非线性地偏移。第二部分,基于嵌段共聚物光刻方法纳米孔模板,利用金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)方法二次生长出GaN量子点结构,通过对生长时间及温度的优化,获得了密度高达9.44×1010cm-2,直径尺寸范围在28±4nm,排列有序、尺寸较均一的GaN量子点。室温光致荧光光谱(PL)观察到在410nm处有较强的发光峰,并利用X光小角反射模拟得到模板厚度及量子点结构的高度。
其他文献
焊接技术是离子膜电解槽制造过程中的核心,焊接的好坏直接影响到电解槽的使用寿命和性能。随着电解技术的进步,电解槽的结构在不断改善,需要电解电耗逐渐降低,这就对电解槽制
<正> 近年来,房产系统对北京、上海、天津等13个城市的49401幢房屋的平屋面进行了渗漏调查,共计屋面面积2521367m~2,渗漏率高达70.4%。1979年以来,我所对“平屋面防水技术”
为满足小型化与系统兼容性的要求,提出了一款具有陷波特性的小型化分形结构UWB天线。采用圆形与正六边形嵌套迭代的三阶类Sierpinski分形结构作为辐射贴片并改进接地板形状,
通过均匀设计试验研究硫化体系中硫黄和促进剂M用量对电梯(直梯)导靴轮胶料及成品性能的影响,并确定优化的硫黄和促进剂M用量。结果表明:与硫黄用量相比,促进剂M用量对胶料性
在国外成熟的市场经济中,住房价格和股票价格存在大致相同的走势。而我国情况有所不同,住房价格自房改以来一直处于上升通道中,股市在经历了泡沫破灭以后增长乏力。在此背景
变电站场站内高压设备正常运行与否,事关人们日常生活和国家经济发展。红外检测技术能够无损的检测高压设备运行状态,被广泛应用在变电站故障检测中。不同类型高压设备故障的
本文针对脉冲MIG焊电源在峰值阶段恒流+基值阶段恒流(I-I)控制方式下存在电弧自调节能力差的问题,展开对脉冲MIG焊电弧调节机理、脉频调制(PFM)电弧控制方法和均匀调节电弧控
近年来,压电扭转谐振器在精密传感器和先进致动器领域获得了广泛应用,如超声马达、压电泵、光学扫描器、粘度计和能量回收装置等。现有的压电扭转谐振器结构上绝大多数是细长
目的:通过体外实验研究伊犁黑蜂蜂胶对牙釉质脱矿和再矿化的作用,评价其防龋效果。方法:应用离体牛切牙制备釉质样本60个,随机分为3组:蜂胶组、氟化钠组(阳性对照)和去离子水
乡村振兴战略的提出为区域美丽乡村建设带来了重大机遇。以2010—2016年德州市发展数据为基础,构建德州市美丽乡村建设评价指标体系,采用优化的TOPSIS评价分析模型对德州市美