非电离能量损失相关论文
磷化铟(InP)作为第二代化合物半导体材料,抗辐照能力强,光电转换效率高,在光子领域和射频领域具有优势.大气空间中,InP半导体器件......
本文针对图像传感器在空间辐射环境中电学性能退化问题,采用蒙特卡罗方法基于互补金属氧化物半导体(CMOS)APS器件建立几何模型,开......
在粒子与物质相互作用的理论基础上，编写了计算中子非电离能量损失(NIEL)和电离能量损失(IEL)以及电子和γNIEL的Monte Carlo计算程......
InP基高电子迁移率场效晶体管（HEMT）具有电子迁移率高，噪声低，功耗低以及增益高等优点，在国防航天和卫星雷达等空间应用中具有极大的潜......
对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InA1As／InGaAs／InA1As量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究．基于SRIM软件计算了50keV、75keV......
对位移损伤敏感器件CCD及CMOS图像传感器进行了3,10,23MeV质子辐照试验,获得了电荷转移效率及暗电流退化程度分别随非电离能量损失......
对InP基高电子迁移率场效晶体管关键的InAlAs/InGaAs/InAlAs量子阱结构质子辐照损伤机理进行了研究.基于SRIM软件计算了50keV、75k......
首先描述了移位损伤的机理及其影响器件性能的机制,引入了适合航天器工程抗辐射加固设计使用的 移位损伤剂量模型,探讨了其在CCD器......
