【摘 要】
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本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅
【机 构】
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大连理工大学三束表面改性教育部重点实验室,日新电机-大连理工大学联合研发中心,
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本文报道了利用电感耦合等离子体辅助中频直流脉冲磁控溅射在温度300℃以下沉积氢化多晶硅薄膜的制备方法.利用拉曼散射、X射线衍射、透射电子衍射和傅里叶红外光谱对多晶硅薄膜进行了表征.详细研究了氢气在沉积过程中所起的作用,并结合Langmuir探针和发射光谱等等离子体诊断方法,对辅助等离子体源在多晶硅薄膜制备过程中所起到的作用进行了讨论.
This paper reports the preparation of hydrogenated polycrystalline silicon thin films deposited by inductively coupled plasma-assisted DC-DC magnetron sputtering at a temperature below 300 ℃ .Polymorphous polycrystalline silicon films were deposited by Raman scattering, X-ray diffraction, transmission electron diffraction and Fourier transform infrared spectroscopy The role of hydrogen in the deposition process was studied in detail, and the role of plasma assisted plasma source in the preparation of polycrystalline silicon thin films was discussed in conjunction with the Langmuir probe and emission spectroscopy and other plasma diagnostics .
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