多普勒展宽谱相关论文
作为反物质世界的一颗璀璨明珠,正电子（电子的反粒子）,因其对电子异常灵敏的特性而被用于研究材料的微观结构。在Anderson发现正电子......
用双探头符合技术正电子湮没辐射多普勒展宽装置研究硼在单晶和多晶NiAl合金中的行为及其对合金中3d电子的影响,结果表明,NiAl合金......
测量了Al、Fe、Mo、Nb和Cr等纯金属和分别含Si、Mo、Nb和Cr的Fe3Al基合金的符合正电子湮没辐射多普勒展宽谱,结果表明:当Fe和Al原......
用双探头符合技术正电子湮没辐射多普勒展宽装置研究硼在单晶和多晶NiAl合金中的行为及其对合金中3d电子的影响,结果表明,NiAl合金......
分别以不同含量的两亲性三嵌段共聚物F127和阳离子表面活性剂CTAB为结构模板，采用溶胶-凝胶法制备了多孔二氧化硅(SiO2)薄膜。......
测量了磁性纳米Fe3O4颗粒的X射线衍射谱(XRD)、正电子湮没寿命谱(PALS)和符合多普勒展宽谱(CDBS),研究了不同压力和退火温度对磁性......
本文通过对荣华二采区10...
本文利用了正电子湮没技术对TiAl合金进行了系统的研究.多普勒展宽谱测量用双探头符合技术正电子湮没辐射装置，可大幅度地降低谱......
本文采用符合正电子湮没寿命谱和Doppler展宽谱仪研究了不同施主掺杂和烧结温度对BaTiO，基PTC材料的微观缺陷及电性能的研究，采用SEM......
用迭代法对湮没辐射的Doppler展宽谱去卷职,获取湮没辐射的本征分布。用高斯—牛顿法将本征分布拟合为一个高斯函数(心电子贡献)和......
采用双高纯锗探头符合的正电子湮没辐射多普勒展宽谱测量了Finemet合金各组元的商谱以及在350,380,400℃下退火（10 min）的Finemet非......
对硅衬底生长的Bi4Ti3O12和Bi3.25La0.75Ti3O12薄膜样品测量了慢正电子多普勒展宽谱,得到了S参数随正电子注入能量的变化。通过对S......
实验中选择Si（N型，（100面），3～5Ω·cm）作为薄膜样品的基底，利用射频溅射方法制备低介电常数非晶SiOx（x〈2）薄膜，并通过真空退火来改变其缺......
采用X射线衍射（XRD）、正电子湮没技术（PAT）-多普勒展宽谱，研究Zr41Ti14Cu12．5Ni10Be22．5块体非晶合金及其过冷液相区结构自由体积周围的元......
多铁材料通常指同时具有铁电性能和铁磁性能的材料。近年来,由于多铁材料具有的特殊物理性质以及潜在的应用价值,使其受到了越来越......
根据正电子湮没的特点，研制了双高纯锗探头-多参数分析器符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置，通过采用符合技术，大幅度地降低了正电子......
本文采用正电子湮没寿命谱和多普勒展宽线形参数测量的方法,研究了FeCrNi奥氏体合金高温淬火、塑性变形和阴极电解充氢后产生的晶......
采用符合正电子湮没辐射多普勒展宽装置和寿命谱仪研究不同化学成分的二元Fe-Al合金中的微观缺陷、电子密度以及Fe 3d-Al 3p电子的......
