Ga_xIn相关论文
报道了对有序ＧａｘＩｎ１－ｘＰ（ｘ＝０．５２）样品的变温和变激发功率密度的ＰＬ谱的研究．在低温Ｔ＝１７Ｋ，低激发功率密度下，谱线呈双峰结构，在低激发功率密度下升高温度，低能端的发......
本文研究了在銦、砷同时存在的情况下,用分光光度法直接测定镓和磷的显色条件,并应用于测定Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)P_y外延层中的x,y......
报道了 MBE外延生长的 Gax In1 - x Asy Sb1 - y四元混晶的拉曼散射谱与远红外反射谱 ,并从拉曼散射谱中观察到了 Gax In1 - x Asy......
Growth of Ga_xIn_（1－x）Sb Alloys by MOCVD—Solid Composition Surface Morphology and Electrical Propert
ＧｒｏｗｔｈＯｆＧａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）ＳｂＡｌｌｏｙｓｂｙＭＯＣＶＤ—ＳｏｌｉｄＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎＳｕｒｆａｃｅＭｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓＺｈａｎｇＢａｏｆｉｎ，ＺｈｏｕＴｉａｎｍｉｎｇ，ＪｉａｎｇＨｏｎ...
GrowthOfGa_xIn_ (1-x) SbAlloysbyMOCVD-SolidCompositionSurfaceMorphologyandElectricalPropertiesZhangBaofin, Zhou T......
蒋红）（李树纬
Jiang Hong) (Li Shuwei...
ＣａｌｃｕｌａｔｉｏｎｏｎＲｅｌａｔｉｏｎｏｆＥｎｅｒｇｙＢａｎｄｇａｐｔｏＣｏｍｐｏｓｉｔｉｏｎａｎｄＴｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｏｒＧａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ａｓ＿（１－ｙ）Ｓｂ＿ｙＴｉａｎＹｕａｎ，ＺｈａｎｇＢａｏｌｉｎ，ＪｉｎＹｉｘｉｎ，ＺｈｏｕＴ...
CalculationonRelationofEnergyBandgaptoCompositionandTemperatureforGa_xIn_ (1-x) As_ (1-y) Sb_yTianYuan, ZhangBaolin......
四元合金Ｇａ＿ｘＩｎ＿（１－ｘ）Ａｓ＿（１－ｙ）Ｓｂ＿ｙ的禁带宽度与组分关系的计算与讨论田园，张宝林，金亿鑫，周天明，李树纬，宁永强，蒋红，元光（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）ＧａｌｎＡｓＳｂ是直接带隙......
本文叙述利用液封法研制Ga_xIn_(1-x)As单晶的工艺和这种单晶的电学特性.三元合金料用直接合成法制备.拉晶速度为每小时3毫米左右.......
异质结半导体激光器问世以来已取得了很大的进展,目前已做到室温连续工作寿命十万小时以上.但是异质结激光器的工作大部份集中在A......
用双光束分光光度计测定了Ga_xIn_(1-x)As_yP_(1-y)/InP双异质结外延片中四元层的禁带宽度。并和制得的发光管发射波长及计算值进......
采用Ga-In(InAs)-AsCl_3-H_2系统,在衬底材料GaAs单晶片上,生长出了适合于制作长波长光电探测器的、晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)As外延......
由于GaInAs材料具有高的电子迁移率及高的电子漂移速度,且易于与InP实现良好的晶格匹配,并在InP-GaInAs界面具有二维电子气效应,已......
用超高压电镜观察和分析了平面、剖面及磨角的Ga_xIn_(1-x)P/GaAs样品,界面附近位错线的柏氏矢量大多是 b=1/2,平面样品中位错线弯......
以半经验的紧束缚方法,采用非线性修正的虚晶近似,计算了与InP晶格匹配的Ga_xIn_(1-x)P_yAs_(1-y)的体电子能带结构以及 Ga_xIn_(1......
用水平常压MOCVD系统生长了2—4μm波段的Ga_xIn_(1-x)As_(1-y)Sb_y合金.气相源包括三甲基镓、三甲基铟,三甲基锑(TMGa、TMIn、TMS......
用水平常压 MOCVD 系统生长了 Ga_xIn_(1-x)Sb(0.5...
