栅介质薄膜相关论文
利用高k介电薄膜材料替代传统的SiO2栅介质层是满足发展亚0.1μm以下尺寸的超大规模集成电路的要求，是目前微电子领域的研究热点之......
利用双离子束沉积系统在P(100)型Si基上制备了不同Ta含量的Hf1-xTaxO薄膜.其中，Ta/[Hf+Ta]的原子百分比分别为15％、26％、33％、45％、......
为了获得性能良好的SiGeMOSSiO2栅介质薄膜,探索用低温热氧化工艺制作SiGeMOS栅介质,本文给出了实验结果,显示SiGe材料的氧化与硅......
四十多年来，微电子工业呈现爆炸性发展，硅基集成电路的集成度一直按照摩尔定律增长，以满足不断提高的技术要求。为保持较高的栅极电容......
本文针对提高和控制新型高介电常数栅介质薄膜的质量的问题，成功研制了准分子紫外光诱导12英寸化学气相沉积设备(Photo-CVD)，并......
当超大规模集成电路的特征尺寸缩小至小于65nnm或者更小时,传统的二氧化硅栅介质层的厚度就需要小于1.4nm,而如此薄的二氧化硅层会......
为了获得电学性能良好的SiGe PMOS SiO2栅介质薄膜,采用等离子体增强化学汽相淀积(PECVD)工艺,对低温300℃下薄膜制备技术进行了研......
近年来，多元高k氧化物材料一直是高k材料研究的热点。从材料结构以及物理性能研究方面对多元高k氧化物如多元稀土氧化物、多元过渡......
本论文主要包括两部分内容：1.Hf基高k栅介质La2Hf2O7和Hf(1-x)LaxOy薄膜的生长和性质研究微电子技术和产业的高速发展不断对半导体......
