论文部分内容阅读
ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料.其制备方法有热压和化学气相沉积方法(CVD).本文主要介绍绍在不同沉积温度下利用CVD制备Zns,并采用正电子湮没技术研究了沉积温度对CVD-ZnS缺陷的影响.
沉积温度对CVD-ZnS性能影响的正电子湮没研究
【摘 要】
：
ZnS是一种用途广泛的宽带隙半导体光学材料.其制备方法有热压和化学气相沉积方法(CVD).本文主要介绍绍在不同沉积温度下利用CVD制备Zns,并采用正电子湮没技术研究了沉积温度
【机 构】
：
中国科学院高能物理研究所,核分析技术重点实验室(北京)兰州大学物理科学与技术学院(兰州)
【出 处】
：
第八届全国正电子谱学会议
【发表日期】
：
2002年6期
其他文献
以多硫化碳炔为代表的线形碳硫化物是一类高比能锂电池正极材料.本文主要介绍了三种多硫化碳炔的合成方法,并测试了其电化学性能,结果显示该材料具有较高的比容量和一定的充
通过电化学合成法在Ti表面修饰一层纳米TiO膜,TEM,XRD测试表明晶型为锐钛矿型,晶粒平均尺寸为25nm.循环伏安法、循环方波伏安法和电解合成法研究了纳米TiO膜电极在硫酸介质中
本文结合不确定理论研究的主要内容和新近进展,分析概括了不确定理论研究的数学方法,阐述了科学哲学方法在不确定理论研究中的运用.首先介绍不确定性的客观来源和表现形式,说
以植物干种子芸豆和花生为生物体材料,采用正电子湮没技术(PAT)测定了该两类生物样品的正电子湮没寿命谱(PAL).测量结果表明,在芸豆和花生生物体内存在着大量微小的孔洞,孔洞
通过热丝化学汽相沉积(CVD)技术工艺在Si(100)基底上制备的金刚石膜,使用美国ORTEC公司制造的正电子湮没寿命谱仪进行了测量分析,并采用PATFIT-88程序作了解谱计算.研究发现,
用单能慢正电子方法研究材料在快中子束辐照下其性能将产生变异现象,发现快中子辐照在金属中产生空位型缺陷.单能慢正电子束是研究快中子引起的溅射所产生的辐照缺陷的有效手
采用双探头符合技术,可大幅度地降低正电子湮没辐射多普勒展宽谱的本底,谱线的本底跟样品与高纯锗探头之间的距离有关:增加距离,可以降低谱线的本底,谱线的本底越低,以单晶Al
建立了高效毛细管区带电脉技术快速测定鱼粉中组胺含量的方法.该方法采用三氯乙酸溶液对鱼粉中的组胺进行提取,经液夜分配净化后,进行检测.对通过对不同条件的考察,建立了前
采用预镀汞的方法处理玻碳电极,研究了三苯基锡(TPT)的电化学行为,探讨了阳极溶出伏安法测定TPT的实验条件.实验结果表明:在0.05mol·LHAC-NaAc的底液中,汞膜玻碳电极对TPT有
研究了原子吸收光谱法测定RuCl中Ru含量的分析方法,并与通氢还原重量法进行了比较.实验考查了样品处理 测定条件 方法准确度和精密度.该方法简便快速,有效工作时间仅需6h,分