高阻硅相关论文
无源器件往往占据射频电路约80％的面积,是制约其小型化的瓶颈.通过IPD技术,可以实现无源器件的集成.高阻硅作为一种先进的衬底材料,......
太赫兹技术在通信、医学、生物检测、安检、材料等很多领域有重要的应用价值，由于目前缺乏有效的太赫兹调制器、滤波器和分束器等太......
以高阻硅为衬底材料,用ADS软件模拟出光照前后微带叉指电极的传输特性,并对其幅度和相位的改变量做了分析。结果表明:在一定的频率......
随着微电子封装技术向高集成度、高性能的方向发展,TSV转接板技术已经成为最有效的高级封装技术之一。在三维集成技术中,TSV转接板......
基于高电阻系数硅设计了一款太赫兹滤波器,采用时域有限积分算法,通过电磁仿真软件CST的参数优化功能,对硅晶片的厚度,硅面上......
本文对带聚酰亚胺绝缘层的硅衬底电路传输线进行了加工和实验测试,实验结果与同时域有限差分法得到的仿真结果相符合.定性地验证了......
微波器件电路设计简单，在无线通信、医疗、遥感、遥控、全球定位和射频识别等领域得到了广泛应用。针对微波器件逐渐朝着电路小型化......
通过在共平面波导上周期性地分布微机械电容,外加电压驱动改变电容值,可实现级联式MEMS移相器.本文讨论了优化相移特性对共平面波......
文章介绍了两款采用硅基工艺和SIW结构的带通滤波器。滤波器结构采用高阻硅作为衬底材料,通过金属通孔阵列形成微波滤波器谐振腔,......
级联式MEMS相移器可通过悬浮于共平面波导之上的微机械可调电容的变化，来改变传输线的特性阻抗和相速，达到相移的目的，文中讨论了MEMS......
微带阵列天线是实现通信、测控等系统小型化的关键设备之一。为了进一步降低天线高度,对应用深腔刻蚀、硅通孔等微电子机械微纳加......
分别在普通的低阻硅衬底、带有3μm厚氧化硅介质层的低阻硅衬底和高阻硅衬底上设计并制备了微波传输共面波导．结果表明，低阻硅衬底导......
在高阻硅衬底上微波传输线以及工作在7.5～8.5GHz频带的四位数字移相器.测试表明,在高阻硅衬底上制备的50Ω微带线在5～15GHz频率范围......
为满足10Gbit/s光纤通信系统光电器件的封装要求,本文给出了三种不同硅衬底上微波共面波导(Coplanar Waveguide,CPW)的设计和制备,......
本文曾在我们以前欧姆接触工作的基础上,进一步用高硼合金(BAINiIn)和高磷合金(PSbAuIn)作接触金属,适当控制硅片的表面质量,结合......
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<正> 一、引言四探针法是硅材料测量中经常采用的一种方法。用四探针法测量高阻硅单晶电阻率的测准条件一直受到国内外学者的重视......
本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少......
进行了高阻半导体硅的放电铣削加工实验,通过检测脉冲放电电压和电流波形,对固定、旋转、随动三种进电方式下的加工情况进行了对比......
开展了高阻半导体硅深小孔放电加工试验研究,通过在工件硅上附加机械振动,研究振幅和频率对其放电穿孔加工效率的影响规律。试验表......
新世纪的战争,信息化与智能化将起到主导作用。其中精确打击弹药是各国争相研发的热点方向之一。导弹的精度非常高但同时其昂贵的......
在厚膜多孔硅(PS)/氧化多孔硅(OPS)衬底上,结合聚酰亚胺涂层改善表面,研制低损耗、高性能射频(RF)/微波(MW)共平面波导CPW(Coplana......
本文介绍了两种光控介质波导衰减器和移相器.一种是用高阻硅制成的介质波导.计算表明,由于高阻硅中非平衡载流子的扩散长度较长,由......
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现代战争中空中点对点通信技术是重要的关键技术,是立体化战中不可缺少的支撑技术之一,它的先进性与否甚至可以决定整个战争的走向......
5G通信中3.4～3.6 GHz是主要使用频段。GaN射频器件由于高频、低功耗、高线性度等优势,满足5G通信应用需求。文中在高阻硅基GaN外延......
随着军用和民用通讯的发展，急需大量高集成度、低成本、低功耗且能与信号处理电路集成在一起的平面射频／微波无源器件。在单片集成电......
集成无源器件(IPD)技术可以将分立的无源器件集成在衬底内部,提高器件Q值及系统集成度。由于高阻硅衬底具有良好的射频特性,高阻硅......
现代微波器件和电路的发展，趋向于小型化、低成本以及低功耗的设计和工艺制作。由于微波信号在普通硅衬底上具有很大的损耗，传统集成......
本论文有两部分内容组成，第一部分内容论述了X波段射频集成开关的理论和实现。如今射频和微波技术日益发展，高集成度、高性能、低成......
文章介绍了高阻硅衬底集成无源器件技术,分析了功分器等效集总参数模型,并设计了一款9.5-9.9GHz的高阻硅衬底集总参数Wilkinson功......
