【摘 要】
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采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触,经过800～1 000°C高温退火5分钟后,肖特
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采用溅射法在液相外延3C-SiC上制备Ni电极,并利用圆形传输线法研究了退火温度对欧姆接触特性的影响,实验表明对于Ni/n-SiC金半接触,经过800～1 000°C高温退火5分钟后,肖特基整流特性退化为欧姆接触,表现出良好的欧姆接触特性,且随退火温度的提高,接触电阻进一步下降,1 000°C退火后,可获得最低的接触电阻为5.0×10-5 Ω·cm2.
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