高耐压相关论文
GaN相比其他半导体材料主要的优势在于较大的禁带宽度以及更高的电子迁移率和饱和速率,使得其在电力电子领域具有广阔的应用前景。......
随着工艺技术的发展,现代VDMOS可承受的击穿电压值越来越高,常规的VDMOS结构由于极厚的外延层,因此导通电阻值随着耐压的增加而大......
GaN基HEMT器件是当前最受关注的电力电子器件之一,具有非常广泛的应用前景。为了不断提高HEMT器件在电源开关领域的的工作性能,需......
为了适应电力电子和电源管理等电路系统日益增长的功率密度、工作频率、高温适应能力、开关速度和电压应用范围需求,具有高耐压、......
该文介绍了MOS继电器之结构、工作原理、光电性能特点等,并就光MOS继电器的设计与工艺特点进行了详细探讨,解决关键技术问题,做出了高......
为了提高MOS晶体管漏端P-N结的击穿电压,该文设计了一种环形多晶硅栅结构,并在漏P-N结靠沟道区一侧设置N〈’-〉区。并成功地进行了实验研究,获得......
SFC新静电偏转板的最高耐压可达140kV/cm以上,在运行的可靠性方面也有很大的改善;性能的提高主要是由于新静电偏转板在电极材料和......
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日本京都大学工学研究科教授木本恒畅在2014年7月4日召开的“新一代功率半导体的冲击:SiC从下一代走向现代”尖端技术论坛(主办:《日......
设计实现了一款高耐压单刀单掷天线调谐开关,用于Sub-6 GHz的天线孔径调谐、阻抗调谐以及宽带开关。设计采用串-并联和体区自适应......
日本PI公司新近推出把高耐压的功率晶体管和低压控制电路集成在同一基片上的智能型功率IC。可用于开关电源、电机控制器、镇流器等......
为适应开关电源的低待机(静态)功率,仍然内装高耐压的起动元件和8引脚的封装。因IC内设置有:由原来外部元件构成的为降低噪音的频率跳......
介绍一种高耐压应变型靶式流速传感器,考虑了被测流体粘性的影响,利用流体力学的方法给出了一种简单实用的设计计算公式,用结构有......
近来,作为各种电器产品的电源电路次级侧开关的元件,要求提高二极管特性的呼声不断高涨,比如以打印机和复印机为首的办公自动化设备的......
本发明提供了一种易焊接高耐压改性聚丙烯材料及其制备方法与应用,其制备原料包括:聚丙烯65%~76.9%,矿物填充物3%~7.5%,玻璃纤维15%~20%,接枝聚丙烯......
在76.2mm4H—SiC晶圆上采用厚外延技术和器件制作工艺研制的结势垒肖特基二极管(JBS)。在室温下,器件反向耐压达到2700V。正向开启电压......
PTC材料的耐压强度E与室温比电阻率ρ存在比例关系,介绍了低阻、耐压强度高,即E/ρ指标值大的PTC陶瓷材料的研制动向。......
高耐压功率MOSFETF系列产品为使trr(内部二极管反向恢复时间)达到高速化,成功地在超结MOSFET的元件内部形成局部的陷阱能级,从而使得tr......
BD60910G U采用高耐压元件和数字电路混载工艺,可以驱动8个背光用白色LED。另外,Rohm利用照度传感器控制和PWM调光功能,在达到低耗电......
在不超过10年的发展时间里,超级电容器已经很成熟了,这种可以贮藏高电荷能量的电化学器件从最初只为直流应用(例如,微波炉或VCR中的......
BD9G34IAEFJ采用功率系统工艺0.6um的高耐压BiCDMOS,作为非绝缘型DC/DC转换器,实现了80V的业界最高耐压水平,在ROHM的DC/DC转换器产品阵......
厚型气体电子倍增器(Thick Gaseous Electron Multiplier,THGEM/TGEM)在高能物理实验中有广泛应用,如X射线、带电粒子及中子的探测......
日本铁路研究提出通过改变受电弓的刚性提高追随性能的方法。为此,制作了采用空气弹簧的可变刚性弹簧2种试品,试品1研究提高耐压并扩......
本文介绍一种高耐压、高绝缘的超小型直流塑封直插式继电器的工作原理、性能、特点、设计分析。该产品可广泛应用于汽车电脑化控制......
JQX-72F继电器具有体积小、耐压高、切换能力强、安装方便、塑封型封装型式等特点。介绍该产品的原理、结构、技术性能参数。......
本文主要从现有热电偶的研究,阐述了现阶段深低温热电偶产品存在一些方面的不足,为了满足现阶段深低温测量工程的发展,提出了一种具有......
提出了一种改进型超级联碳化硅结型场效应管。首先从传统超级联碳化硅结型场效应管入手,分析了其缺陷和不足之处。然后阐述了改进......
钛合金是优异的轻金属工程材料,具有低密度、高比强度、高断裂韧性及良好的耐腐蚀性能。过去很长一段时间,改善钛合金的室温强度和延......
VF202是深圳矽谷电子系统有限公司生产的高亮度真空荧光显示屏(VFD)驱动芯片,该芯片具有40个高耐压的输出端口,采用串行接口,可单......
太阳诱电株式会社推出最高使用温度高达85℃的圆筒型锂离子电容器LIC1235R3R8406、LIC1840R3R8107和LIC2540R3R8207。这些器件是具......
一座容量为30万m^3、最高耐压达15kPa的煤气柜,日前,在宝钢股份中厚板分公司建成。这一由国内自主集成的当今世界耐压最高的煤气柜投......
JHX-121F继电器具有体积小、重量轻、功耗低、灵敏度高、高耐压、高绝缘、大负载、耐振动冲击、体积性价比高、极化、塑封等特点。......
在目前聚乙烯市场中,扬子石化公司生产的PE112级管材专用料YEM-4902T受到欢迎。这一管材专用料是由扬子石化公司研究院研发,并在扬子......
采用中芯国际0.18μmCMOS集成电路工艺,设计了一种内嵌于数字信号处理器芯片的高耐压增强型控制器局域网驱动器。基于控制器局域网......
ROHM全新研发出业界最高性能的高耐压功率MOSFET“F系列”,适用于液晶电视的背光模块Inverter、照明用Inverter、马达驱动器及切换......
文章介绍一种低高度高耐压中功率继电器的磁路系统、驱动系统、接触系统的潜在失效模式分析及优化设计,并对工艺难点及材料选用进......
作为电力电子技术基础的电力电子器件的发展令人瞩目。GTO与IGBT的应用方兴未艾,它们既竞争而又不能互相取代,但同时也暴露出了各......
开发了一种PI型铝基板,由于PI的优异特性,使其作为主要绝缘层的铝基板具有低热阻、高耐压、优良的空间挠折特性。......
本文介绍一种太赫兹行波管用高耐压小型化电子枪绝缘体的设计方法,使用CST软件对电子枪电场分布进行计算,优化绝缘体结构尺寸,使最......
介绍电力半导体器件在大容量、高性能方面的现状和展望。实现器件大容量、高耐压的主要技术是:采用大直径的高纯硅单晶;在工艺技术......
随着通信技术的快速发展,单一频段的通信系统已经无法满足现代通信的需求。通信设备的小型化和集成化要求通信系统能够独立对多个......
主要研究晶体管中浮空场环的技术原理和设计优化及其在实际应用中对晶体管耐压性能的影响。在实际产品版图设计中采用了浮空场环设......