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多晶硅薄膜低温生长中晶粒大小的控制
以SiCl4-H2为气源,用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法低温快速沉积多晶硅薄膜.实验发现,在多晶硅薄膜的生长过程中,气相空间......
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气相结晶
多晶硅薄膜
晶粒生长
SiCl4
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