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应用有关热力学数据研究了与多晶硅主要生产工艺即西门子法相关的“Si-C1-H”三元系的复杂化学反应，研究SiCl4氢化转化为SiHCl3过程中可能发生的15个反应，给出15个反应的△Gm-T图；并确定5个独立的反应，给出这5个独立反应的Kp-T图；高温时主反应（1）的Ko增长较慢，而反应（2）和（5）的kP快速增大，1373K时，主反应（1）的K？较小，为0．1571。进一步研究温度、压强和进料配比n／nH2对SiCl4氢化率的影响，并绘制出SiCl4氢化率随这些因素的变化曲线。结果表明：当压强和进料配比