论文部分内容阅读
通过理论计算临界流化速度umf和床层空隙率εe,得到SiCl4冷氢化流化床反应器在不同粒径dp和表观气速ue条件下的床层密度ρ。床层密度随着硅粉粒径增大而增大,随着表观气速增大而减小。通过实际测量一定高度床层间的压降得到实际床层密度,与理论计算值对比二者吻合性较好,冷氢化反应器的床层密度沿高度方向变化较小。