近空间升华相关论文
利用近空间升华法在Ar+O2气氛下沉积了CdTe多晶薄膜,并在气相CdCl2氛围下进行了不同温度的后处理,对样品进行了厚度、XRD、SEM、σ......
近空间升华技术制备CdTe 多晶薄膜中，薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程。深入研究沉积过程中的热交换、物质输运，有助于制备薄而......
一维纳米材料因其独特的电学和光学性质以及乐观的应用前景，近年来一直受到研究者的广泛关注。发展新型制备方法对于研究高性能的纳......
本文详细介绍了现阶段CdTe太阳电池的主要制备工艺,以及这些工艺的技术、特点.重点讨论了近空间升华法(CSS),CdTe的热处理工艺.总......
太阳电池的种类诸多,近年,随着新材料的不断开发和相关技术的发展,薄膜太阳电池走进了人们的视野,CdTe薄膜太阳电池实验室技术转换......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
在氩气和氧气混合气氛下,近空间升华法制备了CdTe多晶薄膜.薄膜的结构、性质决定于整个沉积过程.深入研究沉积过程中的热交换、物......
在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时,由于CdTe源在有O2的环境下多次使用,造成了源表面氧化,进而失效,严重影响所沉积的CdTe多晶薄......
发展近空间升华氩气氛沉积工艺可以降低制备成本.该文使用近空间升华技术,在不同氧浓度的氩氧气氛下沉积CdTe多晶薄膜.测量了薄膜......
在制备有SnO2:F透明导电膜和CdS的衬底上,用自行设计的设备,通过调节加热灯管的分布获得了较均匀分布的温场,制备了300 mm×400 mm......
将近空间升华法（CSS）沉积所得的CdS薄膜进行退火处理，利用XRD、SEM、暗电导温度关系研究不同退火条件对CdS多晶薄膜性能的影响．结果表......
利用近空间升华法制备面积为300×400 mm2的大面积CdTe薄膜,衬底为用化学水浴法制备的CdS薄膜,膜厚小于1μm,以共蒸发法制备的......
研究了近空间升华(CSS)沉积CdTe多晶薄膜的物理机制,测量了近空间沉积装置内的温度分布,分析了升温过程、气压与薄膜的初期成核的......
在制备有SnO2：F透明导电膜和CdS的衬底上,用自行设计的设备,通过调节加热灯管的分布获得了较均匀分布的温场,制备了300mm×400m......
在CdTe多晶薄膜太阳电池制备中用近空间升华法生长了CdTe多晶薄膜, 沉积工作气体的状态决定了薄膜的结构、性质. 文章首先分析了近......
采用场发射扫描电镜和X射线衍射技术研究了生长结束后的降温过程对以近空间升华法生长的CdZnTe薄膜形貌与结构的影响。分析了快速（......
用近空间升华法在CdS薄膜上沉积了CdTe薄膜．研究了在两种保护气氛下所沉积的多晶CdTe薄膜在后处理后的微结构、表面形貌及光致发光(......
研究了在氩氧气氛下近空间升华沉积CdTe的技术．发展了在表面十分平整的玻璃衬底上沉积优质CdTe薄膜的方法，对比了在玻璃衬底和CdS薄......
详细叙述了制备ＣｄＴｅ基太阳能电池的各种技术及其特点、沉积后热处理工艺、背电极工艺及ＣｄＴｅ基太阳电池的研究进展；重点讨论了近空间升华技术......
在用近空间升华法制备CdTe多晶薄膜时，由于CdTe源在有02的环境下多次使用，造成了源表面氧化，进而失效，严重影响所沉积的CdTe多晶薄膜性......
期刊
近空间升华技术制备CdTe多晶薄膜具有薄膜质量好、沉积速率高、设备简单、生产成本低等优点．采用近空间升华法（CSS）制备的CdTe多晶薄......
发展近空间升华氩气氛沉积工艺可以降低制备成本.该文使用近空间升华技术,在不同氧浓度的氩氧气氛下沉积CdTe多晶薄膜.测量了薄膜......
采用近空间升华法制备了CdZnTe薄膜,并对其进行CdCl2退火,采用扫描电镜（SEM）、能谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）、紫外光谱仪、I-V测试仪等......
CdTe是一种直接带隙Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体,理想的禁带宽度与很高的光吸收系数使其成为第二代高效率低成本太阳能电池的主要成员之一......
碲化镉(CdTe)和硫化镉(CdS)是制造薄膜太阳能电池的常用半导体材料。CdTe/CdS薄膜太阳能电池最高实验室光电转换效率已经达到16.5%......
详细叙述了制备CdTe基太阳能电池的各种技术及其特点、沉积后热处理工艺、背电极工艺及CdTe基太阳电池的研究进展 ;重点讨论了近空......
