Ⅱ-Ⅵ族半导体材料相关论文
碲化镉（CdTe）是一种重要的II-VI族半导体材料,已广泛用于X射线和γ射线探测器以及薄膜太阳能电池领域。由于相同的晶体结构及晶格匹......
氧化锌( ZnO )作为一种直接带隙Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,禁带宽度为3.37 eV,具有较高的激子结合能( 60 meV ),是制备下一代短波长发光二......
CdS是一种典型的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料,在室温下的禁带宽度为2.42 eV,其激发光谱单一、发光效率高、发光颜色可调谐,在生物、医学等研......
采用金属有机化学气相沉积方法在C面蓝宝石衬底上生长MgxZn1-xO合金薄膜.c轴取向的MgxZn1-xO薄膜在600.～630℃温度下沉积.通过X射线......
<正> 1.序言(S.Sivananthan等)2.在蓝宝石衬底上用液相外延方法生长HgCdTe的 状况与进展(G.Bostrup等)3.用在4”硅衬底上通过分子......
ZnSe是一种非常重要的宽禁带（2.68eV）Ⅱ-Ⅵ族性能优良的半导体材料,在光电子器件如蓝色发光二极管以及ZnSe蓝绿色激光器等方面都得到......
