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期刊论文
近空间升华法制备CdTe薄膜
近空间升华法制备CdTe薄膜
来源 :半导体光电 | 被引量 : 0次 | 上传用户:songchuans
【摘 要】
:
研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400 ℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2
【作 者】
:
蔡伟
张静全
郑家贵
黎兵
蔡亚平
武莉莉
邵烨
冯良桓
【机 构】
:
四川大学材料科学系,四川大学材料科学系
【出 处】
:
半导体光电
【发表日期】
:
2001年2期
【关键词】
:
CDTE薄膜
近空间升华法
太阳电池
CdTe films
closespace sublimation
solar cells
【基金项目】
:
国家科技攻关项目,国家自然科学基金
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研究了衬底材料和基片温度对膜微结构的影响。衬底温度在400 ℃以上薄膜结晶状况较为完整。在结晶状况较好的CdS薄膜上生长的CdTe薄膜晶粒较大,尺寸均匀。在CdTe膜面涂敷CdCl2甲醇溶液,可促进热处理过程中薄膜晶粒的长大。
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