高K介质相关论文
石墨烯是由sp~2杂化碳原子组成的二维蜂窝状材料,因其优良的电学、光学等性能,在微电子领域具有重要的应用前景。目前,等离子体增......
功率集成电路技术是连接信息世界和现实世界的重要技术。集成电路技术不仅带来了信息技术、人工智能技术的蓬勃发展,而且对其他产......
现在的半导体器件尺寸逐渐减小,工艺流程愈发复杂,使传统的电荷陷阱型存储器面临着电荷泄露增大、保持特性变差等问题。利用缺陷工......
集成电路的飞速发展促使半导体材料和工艺不断更新换代,对于MOS器件栅极介质材料也提出了更高的要求,传统的SiO2栅极氧化层已逐渐......
电力电子技术堪称是全球第二次电子革命,如今关系着人们的生产生活以及国家的经济、政治及国防。以功率半导体器件为核心部件的电......
纵向功率金属氧化物半导体(Metal Oxide Semiconductor,MOS)器件是一种重要的功率半导体器件,在消费电子和工业控制等领域具有非常......
上个世纪80年代以来,SOI(Silicon on Insulator)技术得到了迅猛的发展。由于具有速度高,集成密度高,寄生效应小,功耗低,抗辐照等优......
随着半导体工艺技术的不断发展，非挥发性快闪存储器集成密度要求越来越高,存储单元特征尺寸需要不断减小,因而传统的多晶硅浮栅快闪......
横向功率器件是功率集成电路中的核心器件。针对横向高压功率器件的研究主要集中在实现高耐压，低功耗以及小型化目标。长漂移区尺寸......
利用电荷泵自举原理,提出一种新颖的CMOS驱动电路。该电路在输入信号未进行开关操作时对电容充电,在开关操作发生时,由电荷泵电容......
本文研究了SiO2/Si、SiNX/Si、Al2O3/Si这三种具有不同介电常数(k)栅介质材料结构在1.7MeV电子辐照前后的傅里叶红外光谱。随着辐......
本文提出了一种具有高k介质阶梯变宽度结构的新型的SOI LDMOS器件,该器件通过在漂移区内引入介质区域使得漂移区的宽度呈阶梯变化.......
提出了一种新型高灵敏度横向电容式硅微加速度计.根据差分电容极板间正对面积的改变来检测加速度大小,保证输出电压与加速度之间的......
通过在n型碳化硅(SiC)晶圆上用物理气相沉积法(PVD)和原子层沉积法(ALD)分别沉积Y2O3介质和Al2O3,形成金属/Al2O3/Y2O3/SiC高k介质......
从器件结构和能带的角度分析了提高非易失性存储器性能的可能途径，建立了纳米晶浮栅结构的存储模型，并在模型中考虑了量子限制效应对......
运用一种全量子模型，研究高k栅介质纳米MOSFET（场效应管）栅电流，特别用于各种材料高k栅介质和高k叠栅介质纳米MOSFET。使用该方法，研究......
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳......
对比传统的平面型晶体管,总结了三维立体结构FinFET器件的结构特性。结合MOS器件栅介质材料研究进展,分别从纯硅基、多晶硅/高k基......
目前,金属-氧化物-氮化物-氧化物-硅(Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Si, MONOS)型存储器面临的挑战是如何在低的工作电压下,提高器件......
电荷陷阱型存储器作为传统悬浮栅Flash存储器的后时代应用，目前所面临的技术挑战是在不断缩小的工艺节点要求下，实现在降低工作电压......
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几十年来器件尺寸遵循着等比例缩小定律持续减小,随着MOSFET器件特征尺寸进入亚100nm至纳米级,器件的很多技术指标已经接近其物理......
学位
随着微电子技术节点不断向前推进,基于传统浮栅结构的非挥发性存储器(NVM)技术遇到严重的技术难点,其中最主要的问题是SiO2隧穿层......
在功率半导体器件领域,由MOS栅控的一类器件称为全控型器件,其具有高输入阻抗、易驱动、驱动功率小等优点。其中LIGBT是横向功率MO......
金属氧化物半导体薄膜晶体管(thin film transistors,TFTs)具有优异的电学性能、热稳定性和可见光区的高透光性。基于溶液法工艺的......
绝缘体上硅(SOI,Silicon on Insulator)技术因其隔离性能好,速度快,漏电流小,抗辐射能力强等优点,使得SOI功率集成电路在电力电子......
在当今社会中,电能是应用范围最广泛的能源形态之一。从产生到使用的过程中,不可避免地要对电能进行相关的处理,例如:改变其电压的......
垂直双扩散金属氧化物半导体(Vertical Double-Diffused Metal Oxide Semiconductor,VDMOS)器件是一种重要的功率半导体器件,因其......
随着超大规模集成电路（VLSI）的发展，晶体管尺寸越来越小，传统的栅介质SiO2不能满足下一代器件栅介质的需求，研发高k介质代替SiO2栅介质......
解决横向功率MOSFET器件击穿电压(BV)与比导通电阻(Ron,sp)之间的矛盾关系是一个重要的课题。对于低压功率LDMOS(BV<200V)器件而言......
随着MEMS技术的发展和多领域技术的交融,近年来以片上集成全自动处理和全分析过程的芯片实验室得到了飞速的发展,展示出诱人的前景......
随着集成电路技术的不断发展，晶体管特征尺寸不断缩小。目前，硅基半导体器件的特征尺寸已经接近了其物理极限。采用高k介质与金属栅......
学位
氧化锌薄膜晶体管由于具有良好的透明性、导电性以及低温生长和高迁移率的材料而受到广泛关注，成为下一代透明显示器件的有力竞争者......
GaN HEMT器件主要利用异质结界面处高迁移率、高密度的二维电子气（2DEG）工作。这些2DEG主要是由极化效应产生，相应地表面存在大量的补......
互补金属-氧化物-半导体晶体管的尺寸缩减使得用高介电常数的氧化物来取代SiO2成为了目前的发展趋势，这主要是因为在现有的工艺上Si......
自从S.Wiwari在应用物理快报上,公布出第一个基于Si纳米晶存储电荷的纳米浮栅存储器,全世界越来越多的研究人员开始关注这种新型的......
在集成电路集成度不断提高，器件尺寸已经进入纳米尺度并且还在不断缩小的发展趋势下，使用传统的Si/SiO2/多晶硅结构会因为过薄的SiO2......
在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质厚度已减薄至原子尺度范围,电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄漏电流急剧增......
随着MOS器件尺度不断减小,栅极漏电流成为微电子技术进一步发展的主要制约因素之一。采用介电常数较大的高k介质来替代SiO2介质,可......
本文提出一种高k介质电导增强SOI LDMOS新结构(HK CE SOI LDMOS),并研究其机理.HK CE SOI LDMOS的特征是在漂移区两侧引入高k介质,......
期刊
薄膜晶体管(TFT)在平板显示、图形成像、阵列传感等领域有广泛的应用。第一代TFT以氢化非晶硅(α-Si:H)作为有源层材料,但其发展却......
