C-V曲线相关论文
碳化硅是第三代半导体材料,具有禁带宽度大,饱和漂移速度高,耐高压和耐高温以及抗辐射的优点,因此基于SiC的功率器件可以实现较小的导......
采用Sol-gel法,以Pt/Ti/SiO_2/Si为衬底在700℃下退火20 min制备了Sb~(3+)摩尔含量分别为0.1、0.2、0.3、0.4、0.5和0.6的Bi_(2-x)......
本文基于扫描探针显微镜(SPM)建立了微区电容的低频测量系统,最小测量电容为30aF,工作频率为20~100kHz.试验测量了SPM导电针尖......
采用金属有机热分解方法制备了pb过量的钢铁酸铅(PLT)铁电薄膜。电子探针和俄歇电子能谱证实了过量Pb存在于PLT薄膜中和界面上。薄膜......
采用金属有机热分解法制备了Pb过量的PLT铁电薄膜,电子探针和Auger电子能谱分析证实了薄膜中及薄膜与底电极界面上存在过量Pb引起成份偏析,导致缺......
本文基于扫描探针显微镜(SPM)建立了微区电容的低频测量系统,最小测量电容为30aF,工作频率为20~100kHz。试验测量了SPM导电针尖与金属......
采用射频(RF)磁控溅射在Pt/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了Ba0 6Sr0.4TiO3(BST)薄膜.通过研究BST薄膜的电容-偏压(C-V)特性曲线发现,......
通过分析钛酸铋铁电薄膜材料MFS结构的C-V特性曲线,发现经过快速退火工艺处理的钛酸铋铁电薄膜的剩余极化强度Pr提高,界面上固定电荷......
利用强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行了辐照,测量了C-V曲线和I-V曲线,实验发现,经过强脉冲X射线对Si-SiO2界面进行的辐照,使C-V曲线产生了正......
Ge纳米晶嵌入高k介质中既可以提高器件的可靠性又可以降低写入电压和提高存储速度。本实验主要研究了用于非挥发存储器的含有Ge纳......
通过感应耦合等离子体(ICP)化学气相沉积方法并利用C4F8和H2的混合气体制备了氟化非晶碳氢(a-C:F,H)薄膜.使用红外光谱仪分析了薄......
本文报导了MOS结构在准静态测试中的异常电容-电压曲线。讨论了它们产生的原因。...
本文描述了在高频和准静态C-V测量中,二氧化硅介质层有限电阻对测量准确性的影响。特别是在准静态测量中,由于频率相当低,MOS电容......
利用AlGaN/GaN异质结场效应晶体管(AlGaN/GaN HFET)栅结构的电容-电压(C-V)特性确定AlGaN/GaN HFET的阈值电压.通过对模拟计算得到......
柔性半导体器件凭借其可弯曲、低成本、低功耗、生产简易性和规模化等突出优势而存在广阔的应用前景,如曲面显示、智能标签、小型......
在集成电路集成度不断提高,器件尺寸已经进入纳米尺度并且还在不断缩小的发展趋势下,使用传统的Si/SiO2/多晶硅结构会因为过薄的SiO2......
在跟随摩尔定律等比例缩小器件尺寸的进程中,为保证电流的驱动能力,并减小栅泄漏电流,高k栅介质的应用成为必然趋势。为寻找一种能够......
相对于传统的FLASH存储器而言,基于纳米晶(NCs)的非易失性存储器(NVM)因其离散俘获陷阱中心存储行为及对局部氧化层缺陷具有极大的......
GaN基MISFET是极有应用前景的半导体器件,在其目前的研究中,多采用传统的介质材料,如二氧化硅、氮化硅等。这些材料的介电常数比较低,......