衬底相关论文
材料是人类文明进步的产物,也是人类文明进步的强大力量。高性能的材料是人类长期以来研究的重点。半导体材料及其相关器件的发现......
高锰硅作为一种环境友好型半导体材料,具备多种优点,在热电和光电领域具有很大的应用潜力。目前的研究中,制备高锰硅的本底真空度......
硅外延在半导体器件中扮演着重要的角色,而外延层品质的高低对产品最终的电性参数有着重要的影响,本文对目前业内比较常用的硅外延......
锗烯是继石墨烯、硅烯发现以来最重要的二维纳米材料之一。以其优异的物理化学性质得到人们广泛关注。然而,锗烯具有微小带隙的特......
铁性（铁电、铁磁、铁弹等）材料是一类具有诸多优良性能的功能材料,它在传感、驱动、存储以及人工智能等高技术领域有着极其广泛的应......
The influence of GaAs substrate on the transmission performance of a multi-film Fabry-Peerot filter (FPF), fabricated by......
随着微电子技术的飞速发展，以互补金属氧化物半导体(CMOS)技术为主的集成电路技术已经进入纳米级。特征尺寸的不断减小使得摩尔定律......
硅膜是一种重要的材料，在半导体、电子、锂离子电池、医学、尤其太阳能电池领域均有应用。然而传统硅膜制备方法是以有机硅为原料，存......
随着传统石化能源的日益减少，太阳能作为一种重要的可再生能源逐渐成为人们关注的热点。光伏发电是太阳能利用研究领域中最重要的发......
随着现代社会科技化与信息化的加快,人们对新型的多功能、可便携、易集成电子器件的需求与日俱增。在类石墨烯材料中,过渡金属硫族......
由于YBa2Cu3O7-x(YBCO)高温超导薄膜具备优异的电学性能,用其制作的高温超导微波无源器件具有体积小、重量轻、损耗低、噪声小、低......
第三代半导体材料具有禁带宽度大和击穿场强高等优点,因此在紫外探测和电力电子方面具有巨大的发展前景和研究意义。尤其是β-Ga2O......
摘要：目前以CMOS工艺为基础的集成电路制造方式已经成为当今集成电路产业的主导技术，但早期的CMOS电路由于无法有效预防闩锁效应而并......
研究目的 利用微波辅助化学气相沉积法生长出质量好、产量高的三维石墨烯，并在此基础上研究其奇特的物理性质，探索其在超灵敏压力......
科学家找到抑制可卡因上瘾新方法 中科院上海生科院神经科学研究所周嘉伟研究组最新研究称，阻断动物体内一种特定神经营养因子的......
自2008年夏天入藏，出土文獻研究与保护中心就成了“清华简”的安身之处，也是从那时起，从事文物保护的赵桂芳就如同照顾婴儿般，精心呵护......
半导体：氮化镓（GaN）功率半导体开始起量投资要点 1、终端客户积极推进，消费级GaN手机电源市场起量。 2、欧洲车企积极采纳，车规级......
近日，一个中外联合研究团队利用高分辨qPlus型原子力显微镜技术，首次在实验中證实了二维冰的存在，并以原子级分辨率拍到了二维冰的形......
碳化硅材料由于其在高温、高频、高压等条件下的优势,是制造高压电力电子器件的理想衬底材料,在智能电网、轨道交通、电动汽车、新......
采用提拉法成功生长了氮化镓和氧化锌基外延薄膜晶格匹配的ScA lMgO4单晶衬底材料,晶体呈透明白色,尺寸为30mm×59mm,表面部分沿......
报纸
“师之一二”征文 去年2月的一天，我接到邮递员送来的一封信，里面还附着一张照片。 蔚蓝的大海衬底，几只自由飞翔的海鸥点......
利用射频磁控溅射方法,在红外石英、蓝宝石和光学单晶金刚石上制备了氧化钒薄膜,然后对其结构与厚度、表面形貌、电学及光学性能进......
从2英寸、3英寸、4英寸到如今的6英寸碳化硅单晶衬底,陈小龙团队花了10多年时间,在国内率先实现了碳化硅单晶衬底自主研发和产业化......
采用金属有机化学气相沉积方法在无掩模的直径为400nm的圆柱Si(100)图形衬底上外延生长了GaAs薄膜。图形衬底采用纳米压印技术及反......
为了解决表面增强拉曼散射(SERS)衬底的吸附性差、稳定性低以及灵敏度不高的问题,设计了一种沉积银纳米粒子的石墨烯泡沫镍SERS衬......
介绍了用热壁反应炉在50mm SiC半绝缘衬底上制备的SiC MESFET外延材料.其沟道层厚度约为0.35μm,掺杂浓度约为1.7×1017cm-3.沟道......
采用低流量III族Ga束流在分子束外延中低温辅助清理GaAs衬底表面氧化物。采用高能电子衍射监控衬底表面氧化物清理过程并得出氧化......
对用于ArF准分子激光器的CaF2衬底进行了表征实验研究。采用分光光度计测量了CaF2衬底的透射光谱和反射光谱,利用激光量热法测量了......
采用紫外脉冲激光沉积技术和高低温沉积工艺,在LaAlO3(100)平衬底及倾斜衬底上成功制备了c轴取向的(Bi,Pb)2Sr2CaCu2O8[(Bi,Pb)-22......
采用等离子体辅助分子束外延(PA-MBE)研究了Al金属插入层对Si(111)衬底上AlN薄膜材料生长的影响。结果证明,Al插入层可改善AlN外延......
通过利用低压金属有机物化学气相沉积技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了GaAsP/GaInP量子阱外延层结构。通过对样品室温光致发光......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓的晶格失配小,SiC单......
利用MBE的方法在晶格失配的GaAs衬底上制备了新型红外探测材料InAs0.07Sb0.93薄膜。并利用电子束刻蚀的方法在InAs0.07Sb0.93薄膜......
在7月末全额收购了磷化铟衬底制造商Crystacomm之后,半导体衬底制造商AXT正在酝酿6英寸磷化铟衬底的生长,这关系着能否为下一代无......
利用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术,在不同偏向角的GaAs衬底上生长了InGaAs/GaAs单量子阱外延结构。通过对样品室温光致发光(PL......
由于激光烧蚀靶材形成的等离子体羽辉呈高斯分布,导致沉积的大面积薄膜尤其是球面衬底上的薄膜极不均匀,严重限制了脉冲激光沉积法......
利用课题组自主研发的热壁低压化学气相沉积(HWLPCVD)系统,在朝[11-20]方向偏转4°的(0001)Si面4H-SiC衬底上进行快速同质外延生长......
