表面势相关论文
本文报告了用于SOC设计的新一代先进纳米集成电路CMOS模型---ULTRA-B的研究和发展的主要内容：完整MOSFET表面势方程基本原理的推导；M......
本文介绍了一种适用于ＶＤＭＯＳ功率集成电路的双扩散ｐ阱ｎＭＯＳ器件新结构，该结构具有与ＶＤＭＯＳ工艺完全兼容和加工工艺简单的特点。利用这种结构可实现ｎＭＯＳ处理......
建立金属-绝缘体-半导体器件反型层子能带结构的势理论模型,并由此模型研究了金属-绝缘体-半导体器件红外探测器的工作机理及制作......
用阳极氧化方法制备了多孔硅样品，研究了样品在室温下受紫外光（３５５ｎｍ）激发的发光特性．发现随着阳极氧化电流密度和腐蚀时间的增加，发光峰呈蓝......
器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下......
测量了ｎ型ＩｎＳｂ金属－绝缘体—半导体（ＭＩＳ）器件的磁量子电容谱，发现ｐ型沟道中二维空穴子带对磁场有很大的依赖关系，对这种依赖关系作出了定性的解释......
本文以普通长沟道ＭＯＳＦＥＴ的电流模型为基础，推导出ＲＧ—ＭＯＳ－ＦＥＴ一级近似下电流模型的解析表达式．并对其物理机制进行了分析讨论．
Based on the current......
本文研究了固体C60和n型GaAs构成的异质结的电学特性，电流-电压测量结果表明这种接触具有相当理想的整流特性，其理想因子接近于1．电流......
本文报道了一种SM材料的制备、性能、钝化保护机理和试用结果．该材料具有优良的电性能、钝化保护性能、机械性能和化学稳定性，并经晶......
分析了超导－半导场效应晶体管的工作原理，利用电阻分流模型对其性能进行了讨论，并给出了详细的计算结果。其中认为沟道中载流子分布符......
基于统计物理学和两层吸附模型提出氧化物－电解溶液（ＯＡＥ）界面的表面基吸附模型，推导出完全由微观物理、化学参量描述的ＯＡＥ界面电荷密度与电势......
本文在分析栅控混合管（ＧＣＨＴ）物理机制的基础上，提出了一种新的计算ＳＯＩ／ＧＣＨＴ集电极电流的解析模型．在同时考虑扩散及漂移电流的基础上，建立了栅控电流......
本文发展了一种研究a－Si：HTFT电流一电压特性的新方法。基于局域态电荷密度解析统一模型，提出并深入分析了沟道区有效温度参数的概念，......
对当前ＭＯＳ器件中应用广泛的两种热载流子效应测试方法及其应用进行了详细论述．还对ＭＯＳ器件的热载流子效应的参数提取进行了讨论
Two kind......
建立了一套进行MOS结构Si／SiO2界面态电荷泵测量的测试系统，其发展的快速电荷泵技术可使界面态测量速度达到5次／秒．分析研究了泵电流与......
本文提出了线性电压扫描下长产生寿命的快速测量方法。该法具有不需使C-t瞬态曲线达到饱和、数据处理简单、且不需知道样品的掺杂......
为满足低电压ＣＭＯＳ晶体管高驱动电流和低静态功耗的要求，提出０．５Ｖ栅衬互连ＧＢＣ（ｇａｔｅ－ｂｏｄｙｃｏｎｎｅｃｔｅｄ）体硅ＭＯＳＦＥＴ工作模式。利用二维器件模拟，对栅长直到７０μｍ的器件结构设计、特性......
本文采用数值模拟方法，在考虑短沟效应、开态电流、关态电流和开路电压增益等因素的基础上，首次给出ＧＣＨＴ低压工作下（０．８Ｖ）的设计容区图，清晰地反......
本文建立了一套用于ＭＯＳ电容热载流子损伤研究的自动测试分析系统，用高频和准静态Ｃ－Ｖ技术，分析研究了栅介质中Ｆ离子的引入所具有的抑制Ｆｏｗｌｅｒ－Ｎｏｒｄｈｅｉｍ高场应......
短沟道效应是小尺寸ＭＯＳＦＥＴ中很重要的物理效应之一，凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ对短沟道效应有很强的抑制能力。通过对凹槽栅ＭＯＳＦＥＴ结构、特性的研究，发现凹槽拐角对凹......
用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方......
本文利用MOSFET亚阈IV曲线对加固和非加固MOSFET的辐射感生界面陷阱密度进行了测量.分析和讨论了辐射感生的界面陷阱密度依赖于辐......
分别对于不同覆盖层厚度的单量子阱结构的样品以及同一覆盖层厚度不同偏压下的量子阱样品进行导纳谱测试 ,由于覆盖层厚度的不同以......
通过对国产加固 N型 MOS电容进行衬底热电子高场注入 ( SHE)及 γ总剂量辐照实验 ,特别是进行总剂量辐射损伤后的热载流子损伤叠加......
在宽范围偏置条件下,测量了GaAlAs红外发光二极管(IRLED)的低频噪声,发现1/f噪声幅值与偏置电流的γ次方成正比,在小电流区,γ≈1,......
提出了一种新的全耗尽SOIMOSFETs阈值电压二维解析模型.通过求解二维泊松方程得到器件有源层的二维电势分布函数,氧化层硅界面处的......
通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)飘移扩散理论,包括薄纯基上两个等同金属氧化物硅( MOS)栅.把两维晶体管分解成两个一维问题,以表面......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方......
为了抑制异质栅SOI MOSFET的漏致势垒降低效应,在沟道源端一侧引入了高掺杂Halo结构.通过求解二维电势Poisson方程,为新结构器件建......
提出一种用于电路模拟的基于表面势的多晶硅薄膜晶体管(poly-Si TFTs)的电流和电容分析模型.采用非迭代方法计算poly-Si TFTs表面......
对垂直于沟道的二维电势分布函数提出了一种新的近似,给出了基于这种近似的杂质浓度呈高斯分布的非均匀掺杂全耗尽SOI-MOSFET的阈......
场引晶体管本质双极,包括电子和空穴表面和体积沟道和电流,一或多个外加横向控制电场.自1952年Shockley发明,55年来它被认为单极场......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道解析理论,用解析理论分别计算飘移扩散电流.上月文章用单项电化电流描述飘移扩散电流.正如那......
本文描述双极场引晶体管(BiFET)短沟道理论.晶体管分成两个区域,源区和漏区.每区在特定外加端电压下既可为电子或空穴发射区又可为......
通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型.通过Pao......
为了研究高介电常数(高k)栅介质材料异质栅中绝缘衬底上的硅和金属-氧化物-硅场效应晶体管的短沟道效应,为新结构器件建立了全耗尽......
通过实验在室温下同时测量纳米MOSFET器件样品漏源电流和栅电流的低频噪声,发现一些样品器件中漏源电流不存在明显的RTS噪声,而栅......
从准二维泊松方程出发,结合多晶硅扩散和热发射载流子输运理论,建立了多晶硅薄膜晶体管亚阈值电流模型。由表面势方程及亚阈值电流......
研发了一种通过MOSFET的超薄栅氧化物分析直接隧穿电流密度的模型。采用Wentzel-Kramers-Brilliouin(WKB)近似计算了隧穿概率,利用......
