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介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展，及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应，得到了一个新的表面势解析模型，并与经典理论和数值模拟结果进行了比较。模型简单、准确，且物理意义清晰，适合于植入到基于表面势的集约模型中。
考虑量子效应的MOS器件表面势模型
【摘 要】
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介绍了目前基于表面势的MOSFET集约模型研究的最新进展，及考虑量子效应时对表面势进行修正的一般方法。并从三角势阱近似出发考虑量子效应，得到了一个新的表面势解析模型，并与经
【机 构】
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复旦大学ASIC国家重点实验室
【出 处】
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固体电子学研究与进展
【发表日期】
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2007年4期
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