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针对深亚微米围栅金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）的短沟道效应随沟道长度减小而愈加明显，以及移动电荷在器件强反型区对表面势影响显著的问题，提出了一种全耗尽围栅MOSFET二维模型．同时考虑耗尽电荷和自由电荷的影响，结合沟道与氧化层界面处的边界条件，求解一维泊松方程，得到一维电势分布模型，然后结合器件源漏处的边界条件求解拉普拉斯方程，最终得到全耗尽围栅MOSFET精确的二维表面势模型，并在此基础上得到了阈值电压、亚阈值斜率等电学参数的解析模型．利用Sentaurus软件对解析模型进行了验证，结果表明：