多晶硅薄膜晶体管被广泛应用于各类电子产品,所具有的较好电学特性与低廉造价使其备受追捧。但由于Poly-Si TFT晶界间存在离散分布的陷阱密度,导致沟道内载流子输运的物理机制复杂化,因此建立准确描述Poly-Si TFT电学特性的器件模型具有重要的物理意义。随着制造工艺的不断发展,Poly-Si TFT紧凑模型的研究十分活跃,目前已有相关研究结果发表。本文重点研究单栅多晶硅和围栅多晶硅TFT的交直流模型:其一,在单栅多晶硅TFT研究中,首先,采用有效电荷法通过泊松方程求解表面势;接着,基于表面势的方法推导出漏电流的解析表达式,并且考虑陷阱态密度、掺杂浓度对器件电学特性的影响;最后,利用端电荷建立单栅多晶硅TFT的电容模型。其二,考虑到围栅结构比单栅拥有更好的短沟道抑制能力,首先,依托围栅结构的对称性以及等效电荷和中间变量等方法,得到围栅结构表面势的非迭代解,并以Pao-Sah模型为基础获得器件的漏电流方程;接着,利用漏电流结果给出描述器件动态行为的端电荷和栅电容模型。验证结果表明,本文给出的单栅与围栅器件模型具有物理意义清晰及算法简单的优点,可适用于电路仿真。