亚阈值摆幅相关论文
设计了一种锗源环栅线隧穿晶体管（GAA-LTFET），并采用TCAD工具对其工作原理进行了分析，通过双栅功函数技术抑制寄生点隧穿机制，消除了转......
文章提出一种新型Si/Ge异质结双栅隧穿场效应晶体管（GP＿Si/Ge＿DGTFET）。该器件在异质结的基础上加入凹槽型pocket结构，禁带宽度较窄的Ge......
随着芯片集成度的提高、器件小型化的不断发展,由此带来的功耗问题也亟待解决。由于玻尔兹曼分布导致常规MOSFET的亚阈值摆幅（SS）无......
在摩尔定律的指导下,集成电路的特征尺寸不断减小,纳米尺度下MOSFET器件的漏电问题越来越严重,日益增大的功耗限制了晶体管尺寸进......
目前,在移动便携式电子产品市场的强烈需求推动下,低功耗将成为芯片的关键设计指标。尽管可以采用电路与系统级的方法来降低功耗,......
二维层状材料因其独特的几何结构和电学性质,受到人们越来越广泛的关注,有望在半导纳米体器件应用中成为传统块体材料的代替者.近......
有机场效应晶体管(organic field-effect transistor,OFET)因为其柔性和低成本制造的优势而获得关注.为进一步拓展OFET应用,进行OF......
现代显示技术在飞速发展，人们对高分辨率、高帧数的需求不断提高，所以显示器对驱动器件性能的需求也不断提高。目前显示行业中使用的......
对比分析了晶格匹配的InAlN/GaN与InAlN/GaN/BGaN高电子迁移率晶体管(HEMT)在不同温度(300~500 K)条件下的直流特性。结果表明,随......
研究了低阈值电压(LVT)结构的28 nm超薄体全耗尽绝缘体上硅(FD-SOI)MOSFET的高温下特性.在300℃下对器件进行测试,将FD-SOI与部分......
本文在研究IMOS器件结构的基础上,分析了该器件不同区域的表面电场,结合雪崩击穿条件,建立了P-IMOS的阈值电压解析模型.应用MATLAB......
n型纳米非对称双栅隧穿场效应晶体管(DG-TFET)速度快、功耗低,在高速低功耗领域具有很好的应用前景,但其阈值电压的表征及其模型与......
研究了一种新型非对称栅隧穿场效应晶体管(AG-TFET),新型结构结合了隧穿场效应晶体管陡峭的亚阈值摆幅与无结器件较大的开态电流的......
负电容场效应晶体管作为低功耗领域最具潜力的器件之一,自从被提出以来就被学者广泛研究。特别是在掺杂氧化铪基薄膜被证明有铁电......
根据摩尔定律的指导,集成电路特征尺寸不断减小,近几年晶体管栅长已达到纳米量级,在此量级下小尺寸效应变得越来越严重,短沟道效应......
近年来,随着晶体管的尺寸不断减小,短沟道效应的日益加重使得硅基器件的速度和功耗逼近了物理极限,因此需要寻找新型的沟道材料,以......
随着集成电路特征尺寸的逐渐缩小,MOSFET发展受到了严重限制,同时芯片功耗与性能之间的矛盾也日益突出。为了解决芯片功耗与性能之......
MOSFET作为半导体集成电路中不可或缺的元器件,为集成电路的快速发展做出了极大的贡献。但随着集成电路特征尺寸到达纳米级,MOSFET......
随着集成电路制造工艺水平的提高,特征尺寸减小至纳米级,摩尔定律的发展进入了瓶颈期。为了继续推动摩尔定律的前进,提升集成电路......
随着集成电路领域的日益发展,芯片集成度不断提高的同时MOSFET器件尺寸也在不断缩小。当今,尺寸缩小所带来的功耗增大问题变得越来......
降低晶体管的功耗是后摩尔时代半导体技术发展的需求。隧穿晶体管（TFET）的亚阈值摆幅可以低于60 mV/dec,从而减少供应电压,降低动态......
太赫兹射线是一种介于微波和红外之间的射线,具有频率高、穿透能力强、生物无损害等显著优点,在宽带通信、雷达、电子对抗、医学成......
伴随半导体技术的不断发展成熟,对作为大型集成电路基本单元的晶体管提出了更高的要求。摩尔定律表明了,随着半导体产业的发展需求......
随着半导体技术逐渐发展成熟,MOSFET晶体管作为大型集成电路的基本单元,根据摩尔定律的要求,尺寸会变得越来越小,如今的微电子技术......
无结纳米线器件在其源/漏端以及沟道为均匀掺杂,制造流程简单,具有近乎理想的亚阈值摆幅以及极小的泄漏电流,是纳米尺度条件下传统......
本文提出了一种新型的横向变厚度射频SOI LDMOS结构。新结构与常规RESURF结构的不同之处在于,其漂移区厚度从源到漏逐渐线性增加。......
介绍了一种锗硅(Si1-xGex)沟道双栅(DG)负电容(NC)隧穿场效应晶体管(TFET),在Sentaurus TCAD软件中通过耦合Landau-Khalatnikov (L......
该文所研究的低压低功耗CMOS工艺模块主要有以下几个方面:栅氧化层厚度变化、PMOS管工作机理变化、电源电压与阈值电压的优化. 栅......
随着晶体管尺寸不断缩小,CMOS电路的功耗问题变得日益严重,一个重要原因就是电路的电源电压不能随器件尺寸的缩小而减小。由于MOS......
铁电负电容场效应晶体管作为一种新型半导体器件,利用铁电材料的负电容效应可使晶体管的亚阈值摆幅突破理论极限值60 mV/dec,是未......
通过在柱坐标系下求解二维泊松方程，建立了短沟道无结柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的电势模型，并推导了阈值电压、亚阈值区电流......
在柱坐标系下利用电势的抛物线近似,求解二维泊松方程得到了短沟道三材料柱状围栅金属氧化物半导体场效应管的中心及表面电势。推......
目前FinFET已成为当前集成电路的主流器件,其立体鳍状结构使栅极大面积覆盖了沟道,有效增加了栅极对器件的控制。该结构能改善器件......
随着传统MOSFET器件特征尺寸不断的缩小,芯片集成度逐渐提高,器件短沟道效应变得越来越明显,导致器件关断时泄漏电流显著增大,功耗......
基于量子隧穿原理的带-带隧穿场效应晶体管(BTB TFET)是Intel预测的未来晶体管发展方向之一,其独特的带-带隧穿机理以及源极区和漏......
随着微电子技术进入纳米领域,功耗成为制约技术发展的主要因素,因此,低功耗器件成为半导体器件领域的研究热点。负电容场效应晶体......
在新型多栅器件栅电容模型的研究中,量子电容随着沟道长度及栅氧化层厚度的不断减小而变得越发不可忽略。推导了基于绝缘体上硅(SO......
采用了一种新的方法研究纳米金属-氧化物-半导体场效应管（MOSFETs）的亚阈值特性，即正则摄动法，由于在纳米MOSFETs中，常用的耗尽近似和页......
为解决现有隧穿场效应管(TFET)开态电流相对较低的问题,设计一种以石墨烯异质结为导电沟道的新型TFET器件。根据石墨烯条带导电性......
基于隧穿场效应管（TFET)P-I-N结构，考虑在源区与沟道之间施加一段与源区掺杂性质相反的高掺杂区（PNIN-TFET),加大源区到沟道的转变，提......
双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管（DG a-IGZO TFTs）具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布......
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