HALO结构相关论文
随着MOS集成电路的集成度不断提高，器件特征尺寸的不断缩小，MOS器件中的短沟道效应、DIBL效应等二级物理效应日益严重，MOS器件按比例......
在考虑了隐埋层与硅层的二维效应的基础上提出非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型,该模型计算了在不同硅膜厚度,掺杂......
随着集成电路产业的迅速发展,CMOS工艺已进入≥22nm特征尺寸的研究。讨论了Halo结构在当前工艺尺寸等比例缩小挑战背景下的应用情......
对沟道长度从10μm到0.13μm,栅氧化层厚度为2.5nm的HALO结构nMOS器件的直接隧穿栅电流进行了研究,得到了一个适用于短沟道HALO结......
在非对称HALO结构的全耗尽SOI二维阈值电压解析模型的基础上，对阈值电压受隐埋层中二维效应的影响进行了讨论．通过与一维模型的比较，......
研究了热载流子应力下栅厚为2．1nm，栅长为0．135μm的pMOSFET中HALO掺杂剂量与器件的退化机制和参数退化的关系．实验发现，器件的退化机制......
