翘曲效应相关论文
为计算薄壁闭口曲线箱梁由温度梯度引起的内力和位移,基于曲线梁的基本微分方程和最小能量原理,将一次扭转超静定简支曲线梁作为基......
混凝土U型薄壁梁在道路桥梁和城市轨道交通工程中应用广泛,由于偏心、车辆摇摆及地震作用,U型薄壁梁常受到扭转作用.依据Vlasov理......
制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOInMOSFETs.测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOInMOSFETs来说,在提高击......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型.考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方......
量子计算机被视为后摩尔时代“Beyond CMOS”多种技术分支中最有潜力的一条技术路线,目前逐渐在金融、生物制药等领域展开应用,受......
本文基于现有的梁理论,在充分考虑梁轴线的曲率、扭率以及轴向、剪切变形和转动惯量的影响之外,另外计入扭转有关的翘曲变形的影响......
本文对跨坐式单轨预应力曲线轨道梁的翘曲效应进行了计算分析,通过分析,得出了跨座式单轨预应力曲线梁的翘曲效应在工程要求的精度......
引领世界半导体的公司如IBM也纷纷采用SOI技术。国内在0.18微米节点以下尚无先进SOI制造平台。本文依托宏力先进工艺制程设备,与宏......
GaN工艺HEMT器件具有高的效率和功率密度、以及高线性等特点，在毫米波收发系统中有广泛应用。器件模型是工艺、器件与电路设计之间......
学位
报道了一个部分耗尽 (PD) SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型 .该模型从 PD SOI NMOSFET器件的物理结构 ,即由顶部的 NMOSFET和底......
为更好研究夹层橡胶隔震结构在连续曲线箱梁桥中的作用,文章探讨了一种箱梁单元,考虑翘曲效应影响,其增加了一个翘曲位移自由度,同......
对层状复合材料矩形截面非圆柱（锥形、桶形和双曲形）螺旋弹簧的自由振动特性进行了研究，方程中首次考虑了簧丝截面的翘曲变形对固有频......
薄壁杆件横截面变形的翘曲效应显著,与实体杆件相比存在明显差异,用有限元软件进行结构分析时,选择合理的单元类型尤为重要。通过......
对层状复合材料矩形截面圆柱螺旋弹簧自由振动特性进行研究，首次考虑簧丝截面翘曲变形对固有频率和振动模态的影响。在各向异性自然......
制备了采用半背沟注入的浮体和体接触部分耗尽SOI nMOSFETs．测试结果表明这样的器件相对于传统的部分耗尽SOI nMOSFETs来说，在提高击......
本文在总结箱型曲梁结构分析研究的基础上,在有限元分析中引入广义位移概念,建立了具有高次多项式的曲梁单元形状函数和箱型截面的......
SOI（Silicon On Insulator）器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应，将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它......
曲线桥是立交桥和高架桥的一种重要的结构形式,在交通运输中起着重要作用,本文主要研究重庆轻轨出段线部分高架曲线桥的构造特点,......
以各向异性自然弯扭梁理论为基础，首次导出了考虑簧丝截面翘曲变形的单向复合材料矩形截面非网柱（锥形、双曲形和桶形）螺旋弹簧的运动......
报道了一个部分耗尽（PD）SOI NMOSFET翘曲效应的温度解析模型。该模型从PD SOI NMOSFET器件的物理结构，即由顶部的NMOSFET和底部的......
提出一种新型的多晶硅薄膜晶体管电流-电压物理模型，考虑了陷阱态密度的V形指数分布,运用Lambert W函数推出了表面势的显式求解方法......
为真实描述结构二阶弹性分析中可能出现的侧扭屈曲变形和翘曲扭转变形,精确满足增量虚位移原理,结合梁柱法和有限单元法,基于更新......
SOI(SiliconOnInsulator)器件中氧化埋层的隔离作用带来的浮体效应,将显著地影响器件的性能。本文阐述了浮体效应产生的原因以及它......
为了研究截面翘曲对大型风力机叶片弯扭耦合特性的影响,分别建立考虑翘曲效应和不考虑翘曲效应的梁模型,并对叶根截面、翼型截面特......
箱型截面因其具有抗扭性能好、经济效应高、造型优美等优点，在城市立交与高架桥的曲线桥梁中得到大量应用。随着曲线桥梁跨径的增大......
微动疲劳普遍存在机械行业、核反应堆、航空航天、铁路、汽车、电力工业和电信装备等领域的紧配合部件中。随着高科技的不断发展,......
