自对准相关论文
在摇晃情形下,杆臂效应是影响初始对准精度的重要因素。但是精确的杆臂信息很难预先获得,本文根据杆臂效应产生的机理,给出了在线......
单原子层石墨烯因其在电学、力学、热学和光学方面的优异性能,自2004年被发现以来,便一直备受各领域科研工作者的青睐。其中,采用......
可寻址纳米冷阴极电子源在平板显示、背光源、X 射线源等具有重要的应用前景[1]。 例如，采用可寻址纳米冷阴极电子源的平板 X 射源......
为实现超导纳米线单光子探测器(SNSPD)快速、稳定的封装,提出将光纤和器件光敏面快速耦合的自对准封装方式.首先通过半导体微纳米......
采用一种自对准制造工艺和倒装芯片的装配技术，研制出GaN基蓝光大功率发光二极管（1mm×1mm）。其光学参数：总辐射功率143．19mW，光通量......
报道了一种自对准T形电极结构的硅脉冲功率晶体管的实验结果.在2GXz短脉冲工作条件下,该晶体管输出功率70W,增益8.5dB,集电极效率5......
低导通电压的收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管日本ＮＴＴ研究所最近报道了一种收集极朝上的Ｇｅ／ＧａＡｓ异质结双极晶体管，这种晶体管能满足高频低功耗工......
本文对源漏ｎ＋浅结注入的自对准ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ内部的电位、电场及载流子浓度的稳态分布进行了二维数值分析，分析表明，不同ｎ＋注入深度对器件的特性有一定......
对于场发射三极管，提高使用频率，增加跨导以提高增益是设计的关键。因此，本文在研究场发射三极管工作原理的基础上，重点分析了场发射三......
本文简要介绍了GaInP/GaAsHBT的发展现状,用湿法工艺制作了自对准GaInP/GaAsHBT,其电流截止频率高达50GHz,性能优于我们在同等工艺......
ＣＯ／Ｔｉ／Ｓｉ或ＴｉＮ／Ｃｏ／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜结构通过多步退火技术在Ｓｉ单晶衬底上外延生长ＣｏＳｉ２薄膜，ＡＥＳ、ＲＢＳ测试显示ＣｏＳｉ２薄膜具有良好均匀性和单晶性．这种硅化物新技术已用于ＣＭＯＳ器件工艺......
本文提出了两种新结构MCT器件，通过器件模拟器PISCES－ⅡB对其关断机理进行了二维数值求解．采用自对准三重扩散工艺，成功地实现了两种新......
介绍了离子注入技术自对准制作ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的方法，分析了对器件特性的影响。
The method of self-aligned fabrication of SiGe / SiHBT by io......
介绍了一种新的亚微米发射极窗口刻蚀工艺。利用ＲＩＥ技术和边墙隔离技术，无须对位光刻，使发射极窗口精确地位于发射区中央。该工艺简单，具......
为了减小硅化物形成过程中消耗的衬底硅，提出添加非晶Ｓｉ的新方法，并探索了Ｃｏ／Ｓｉ／Ｔｉ／Ｓｉ及Ｃｏ／Ｓｉ（×７）／Ｔｉ／Ｓｉ多层薄膜固相反应的两种途径．实验采用四探针、ＸＲＤ、ＲＢＳ等多种方......
应用基于表面硅、体硅微电子工艺的混合微加工技术 ,制作了新型 2× 2扭转微镜光开关阵列 ,并研究了其在外加静电场和交变电场中的......
美国 IBM 公司已研制成 f_(max)为285GHz 和 f_r 为207GHz SiGe HBT。尺寸为0.12×2.5μm~2的晶体管线性电流为1.0mA/μm(8.3mA/......
LDMOS 功率管工作在线性区时,R_(DSon)取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度。非自对准LDMOS 功率管漂移区的一端与栅极没有......
介绍 L 波段、低偏置电压下工作的自对准 In Ga P/ Ga As功率异质结双极晶体管的研制 .在晶体管制作过程中采用了发射极 -基极金属......
在超高真空化学汽相淀积设备(UHV/CVD)上生长了小尺寸、大密度、垂直自对准的Ge量子点。采用原子力显微镜分析量子点的尺寸,可优化......
报道了发射极自对准的InP基异质结双极型晶体管.在集电极电流IC=34·2 mA的条件下,发射极面积为0·8μm×12μm的InP HBT截止频率f......
研究了一种采用新的T型发射极技术的自对准InP/GaInAs单异质结双极晶体管.采用了U型发射极图形结构、选择性湿法腐蚀、LEU以及空气......
自对准硅化物通常用于降低多晶硅栅的薄层电阻(Rs)和硅源/漏(S/D)区域的接触电阻。对于90nm以下的器件,S/D区域还要求是重掺杂的超......
一种利用锗掺杂的新型PECVD自对准阻挡层,作为低成本的简单方法,可以提高铜互连对电迁移的抵抗能力。随着摩尔定律的推进,对铜互连......
研究了在自对准硅MMIC中等平面深槽隔离工艺的实现。该工艺包括如下过程:首先应用各向异性刻蚀的Bosch工艺刻蚀出用于隔离埋集电极......
提出了一种新型自对准石墨烯场效应晶体管(graphere field-effect transistor,GFET)制备工艺,该工艺可与现有Si CMOS工艺相兼容。......
为打破国外技术垄断,该项目作为“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”国家科技重大专项立项项目之一,提出了开发0.13微米嵌入式......
惯性导航技术是导航领域中不可或缺的重要分支,而捷联惯性导航依靠其结构简单,成本低廉,易于维护等特点始终是惯性导航技术中的研......
本文概述了弹道式导弹惯性平台自对准原理,解决了利用平台罗经原理在以重力惯性坐标系为对准基准时出现的方位控制信号消隐现象,从......
当车辆从已知的方格坐标基准点开出时,自备的陆地导航系统可以在行车期间自主地、连续地确定车辆现时的统一横轴墨卡托投影坐标。......
导弹捷联式惯性测量装置的对准系统适用于惯性测量装置(IMU)不具备自对准的场合。这种对准系统在指北仪和惯性测量装置之间不需要......
本文讨论一种动态存储器结构,它能组成1M位VLSI的10×10mm~2存储器芯片采用常规光刻,其光刻尺寸为2~u以下。 图1给出了2位单管单......
日本东芝公司为了能使新一代的高密度NAND型存储器实用化，已研制成能大幅度缩小存储器单元面积的器件技术。NAND型存储器由于存储单......
1.引言 近年来,多晶硅薄膜已越来越广泛地应用于半导体器件。在大规模MOS集成电路中,具有重要地位。其原因在于: (1)多晶硅薄膜作......
真空平板显示器的底板主要由场发射阴极和金月栅极构成。本文报告了ＴＩ－Ｗ－Ａｕ三层金属栅极代替过去的铝栅，解决了栅与绝绝层ＳｉＯ＿２的附着问题和金属......
东京芝浦电气综合研究所等最近研制了一种新结构的集成注入逻辑S~2L(自对准超注入逻辑一Self-Aligned Super Injection Logic)。S......
提出一种从根本上提高微波 GaAs FET 器件性能的新工艺技术。它包括结构新奇的栅电极,既能减少栅电阻又可制作自对准沟道。讨论了......
日本电总研最近试制成功了以金属钨作电极、并作离子注入用的掩模的亚微米自对准型的GaAsMESFET,并在9月份举行的1982年秋季第43......
休利特—派卡公司采用精细的几何图形制出了亚微米发射极条,制出了频率高、增益大而又保持噪声低的 HXTR6101器件,其性能是在4千......
当共同研究所于1976年春第一次讨论具体方案时,IBM公司在此前一年就发表了电子束直接曝光的8K位存储器。该存储器单元面积是6.5×......
