模斑转换器相关论文
氮化硅（Si3N4）材料因其较宽的透明窗口和较低的温度敏感性,可实现高折射率差、低传输损耗的光波导等优点在集成光波导器件领域受到了......
为了提高基于绝缘体上硅(Silicon on insulator,SOI)的Si微纳波导器件和光纤的耦合效率,设计了一种基于SOI和溶胶-凝胶杂化SiO2材......
采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件.器件在......
由于光纤与SOI(Silicon-on-insulator)波导之间存在巨大的模场失配,二者直接进行端面耦合时的损耗非常高,需要通过模斑转换器(SSC,......
光波导和单模光纤(SMF)的耦合是光波导器件研制过程中的关键技术之一.影响其有效耦合的主要因素是模场失配.模斑转换器(SSC)是解决......
利用扫描电子显微镜(SEM)研究了在选择外延MOVPE生长InGaAsP材料中,厚度增强因子随SiO2掩模宽度的变化,生长条件(如生长压力、Ⅲ族......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
利用选择外延技术研制了1.5μm DFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件.激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同......
利用选择外延技术研制了1．5μmDFB激光器和自对准模斑转换器单片集成器件，激光器的上限制层与垂直方向上楔型波导的模斑转换器同时选......
期刊
研究了利用选择外延生长的InGaAsP材料的厚度增强因子和带隙波长的性质，最大的厚度增强因子为2．9。利用选择外延技术研制的DFB激光器......
采用选择区域生长、量子阱混杂和非对称双波导技术制作了电吸收调制器与半导体光放大器和双波导模斑转换器的单片集成器件．器件在波......
报道了1．6μm的半导体激光器和电吸收调制器以及双波导模斑转换器的单片集成器件．该器件具有良好的单横模特性和准单纵模特性(边模抑......
采用传统的光刻和湿法腐蚀工艺制作了1．55μm波长的新型半导体激光器和模斑转换器的单片集成器件，其中激光器采用脊型双波导，模斑转换......
随着光通讯、计算机和互联网等信息产业的高速发展,人们对信息容量、速度以及成本有了更高的要求,而传统的电互联技术,由于其自身......
采用步进投影式光刻机的步进原理控制曝光剂量,制备楔形模斑转换器.分析了不同曝光剂量对侧壁形貌的影响以及最佳的刻蚀参数.实验......
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μm范围内具有余弦边界的平面锥形模斑转换器性能最佳.并且发现,光纤中的出射光进入模斑转换器以后,光波模式会逐渐发生变化,并最......
