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作为业界体积最小并且精度最高的24位模/数转换器LTC2400,其主要特性是10ppm的绝对精度,8线SOIC封装;这种封装是同类器件尺寸的四......
介绍用于 0 .35μm投影光刻机的逐场调平技术 ,讨论其检测和控制原理 ,并作精度分析 ;讨论逐场调平对套刻精度的影响 ,并建立三轴......
面临着越来越复杂的器件要求和对成本极端敏感的终端市场的双重压力,芯片设计师和制造商感到要按时且按资金预算将性能卓越的器件......
目前市售SiC材料的最大直径仅为3英寸,而且SiC材料还有缺陷,限制了它在元器件方面的应用。微管缺陷是SiC体材料较大缺陷,它看上去......
在11 MeV电子束辐照能量、不同辐照剂量和辐照退火条件下,研究了聚酰亚胺膜和氮化硅膜、二氧化硅膜、PSG膜以及它们组合形成的不同......
本文通过对二阶非线性光学高分子-极化聚合物的研究进展与实用化器件要求之差距的分析指出,稳定性问题已经基本解决,其实用化的关键是......
高中物理电学实验中“半偏法”测电阻是电学实验中的难点,也是高考中考查学生实验能力的一个重要实验,可是学生在掌握本实验中常常......
一、前言磁泡常规器件的许多功能是通过Ni-Fe合金薄膜图案完成的。因此,制备性能合乎器件要求的Ni-Fe膜是器件工艺重要的一环。磁......
电视机用的阻尼管、提升管是一种高频整流二极管.在整个运行周期64μs中,它有52μs通过正向大电流,12μs承受反向高电压.特别是用......
由于InP具有高的峰谷比,高的电子漂移速度和快的谷间散射.使其成为微波和光电器件方面有前途的新材料. 本工作企图采用 In/PCl_3/......
比较了在高温下由化学汽相反应和液体溶液反应生长的Ⅲ—Ⅴ族化合物,从材料的观点上描述了光发射和微波振荡器件的要求。也讨论了......
在大气压力和500℃低温下,生长了优质MOCVD外延层。在600℃以下,生长速率受AsH_3热分解减少的限制。测量了Se高掺杂GaAs层的霍尔......
应用Van der pauw法测试了扩硼多晶硅层的电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率,对多晶硅层的厚度、淀积、温度以及硼扩散的温度和时间......
本文综述了近二、三年来国外硅材料的发展,指出了硅多晶材料在世界将会出现供给不足的局面。硅单晶(CZ法)的炉产量仍在扩大,而材料......
利用宽禁带发射极高注入效率的异质结双极晶体管(HBT),可同时提高基区掺杂、降低发射区掺杂,从而降低基区电阻和基极-发射极结电......
目前,先进的VLSI器件要求提高器件开关速度,提高抗噪音能力,并要求把芯片尺寸减至最小。最近,在VLSI制造领域,兆电子伏(以下简称Me......