功率电子器件相关论文
Al GaN/GaN异质结型功率电子器件具有高工作温度、高击穿电压、高电子迁移率等优点，在推动下一代功率器件小型化、智能化等方面具有......
氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（high electron mobility transistor, HEMT）以其击穿场强高、导通电阻低、转换效率高等特点引起科研人......
由青岛杰生电气有限公司承担的国家863半导体照明工程重点项目“氮化镓-MOCVD深紫外LED材料生长设备”研制取得突破,我国首台具有......
一、引言目前,变频调速技术已广泛应用于低压(380V)电动机,但在中压(3000V以上)电动机上却一直没有得到广泛应用,主要原因是目前在......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,被广泛应用于制作高温、高频及大功率电子器件。此外,由于SiC和氮化镓的晶格失配小,SiC单......
芬兰阿尔托大学和硅晶圆企业Okmetic公司合作,就以金属有机物气相外延(MOVPE)方式在6英寸绝缘体上硅(SOI)衬底上生长氮化镓(GaN)展......
磁电回旋器是一种具有无源、线性、低损耗、非互异性等特性的四线-双端口电力电子器件,可以实现电压/电流以及电容/电感的非互易性......
空中和地面的无人或有人平台,对尺寸、重量和功率(SWaP)的更高要求推动了功率电子领域的创新。现代军事雷达、武器系统、航空电子......
近年来,随着电力电子技术的广泛应用,功率电子器件等非线性负荷在电力系统中的使用也越来越多,这就不可避免地使相关的电流电压波......
碳化硅(SiC)单晶是一种宽禁带半导体材料,具有禁带宽度大、临界击穿场强大、热导率高、饱和漂移速度高等诸多特点,被广泛应用于制......
汽车系统的成本优化和可靠性设计需要对功率电子器件进行复杂的测评.TWISTER是意法半导体开发的一款仿真器,能够精确地预测采用意......
制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,......
为了降耗节能，用荧光灯、LED或HID替代白炽灯的工作正在全世界范围内进行，并取得了巨大进展。举例来说，电子变压器已用来驱动低电压卤......
如今,所有汽车都配备了半导体。每一辆出厂汽车拥有超过50个半导体。博世最新研发的新型碳化硅(Sic)微芯片(见图1)将助力电动车实......
目前，GaN材料已经广泛的应用于蓝光和白光LED的大规模生产之中，其相关的工业技术已经成熟，2007年，市场共消费了约500万个2in晶片。除LE......
美国普度大学科学家发明了一种新的空调技术，可对比以往更强大的计算机芯片进行降温。这个实验系统通过芯片内切割出的微小管道冲刷......
如今，所有汽车都配备了半导体。 每一辆出厂汽车拥有超过50个半导体。博世最新研发的新型碳化硅（SiC）微芯片将助力电动车实现质的......
随着设备和组件变得越来越小,在未来超高效电子系统的开发中,电子和光电子的散热是一个严重问题。现在,瑞典查尔姆斯理工大学的研......
随着集成电路工艺步入22 nm工艺节点,传统的硅基金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)所产生的短沟道效应及低的击穿电压使其不......
针对半导体致冷技术中可控硅电流换向器存在的问题，提出了利用新型现代电子器件功率场效应晶体管（ＭＯＳＦＥＴ）实现Ｈ型功率开关电流换向器的方案，并......
相较于传统的硅器件,基于宽禁带半导体材料的功率电子器件在很多方面都体现出了优越的性能,符合功率变换器高效率、高工作温度及高......
IGBT器件作为现在最热门的功率电子器件,以其优良的性能和高可靠性被广泛应用于各种军用和民用电子设备中。然而,由于我国目前研发......
当前，汽车技术正经历一场革命，新能源汽车将是全球汽车行业未来发展的趋势.汽车生产企业和零部件生产企业在进行电动车（Electronic Ve......
固态变压器是一种基于电力电子变换技术来取代传统60 Hz变压器的新型智能装置。其主要特点在于体积小、重量轻、可控性高以及可集......
据美国物理网（PHYSORG）报道，美国普度大学科学家发明了一种新的空调技术，可对比以往更强大的计算机芯片进行降温。这个实验系统通过芯......
当今电(动)机消耗的电能约占工业电耗的65%,如将占绝对多数的非调速型电机改成调速运行,使其耗电量实现随负荷大小而变化,则可节约......
氮化镓(GaN)功率电子器件具有高击穿电压、高工作频率、高电流输出能力以及耐高温等优点,有望成为下一代高效电源管理系统芯片的最......
电力电子器件（Power Electronic Device）又称为功率半导体器件，用于电能变换和电能控制电路中的大功率（通常指电流为数十至数千安，电压......
GaN基功率电子器件因其具有开关速度快、开关频率高、工作结温高、通态电阻小、开关损耗低等优势,适合应用于新型高效、大功率等的......
当今,功率电子器件的发展方向是大功率、超高频,热耗散成为关键技术问题。本文对常用和前瞻性的陶瓷基和金属基高热导率的材料作了......
金刚石属于超宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,目前正成为国际竞争的新热点。现介绍了金刚石半导体材料和相关电子器件......
在过去十年中,美国和欧洲在军事及商业领域都进行了一些有关电动和混合电动车辆的研究和演示项目。在军事应用方面,这些活动得出的......
<正>电机电动车和混合电动车在动力系中至少使用一个电动机,以将电能转换成机械能。事实上,所有类型的电动机也能将机械能转换成电......
研制经验和相关文献证明 ,逆变式弧焊电源能够得到广泛使用和顺利发展的关键是其具有高的可靠性。弧焊电源的可靠性指的是功能丧失......
基于Si基GaN HEMT材料制作了击穿电压530V、无场板的功率电子器件。器件制作工艺与现有GaN微波功率器件工艺兼容。研究了器件栅漏......
Ⅲ族氮化物(又称GaN基)宽禁带半导体属于新兴的第三代半导体体系,在短波长光电子器件和功率电子器件领域具有重大应用价值。过去10......
在Audi公司首次自行开发车桥电驱动装置时,Audi采取了新的途径,将通用化程度较高的电动机、功率电子器件和车桥变速器作为可分级的......
耐压能力是功率MOSFET的最重要性能,通常在器件的应用选型中,击穿电压是作为首要的考虑指标。对于击穿电压小于100V的VDMOS器件,达......
本文试图对大连宇宙电子公司发展战略进行探索性研究,整理和分析了实际调研得来的大量宝贵资料,结合公司实际情况,灵活运用战略管......
