高电子迁移率场效应管相关论文
制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,......
利用Al Ga N/Ga N半导体的极化效应在异质结界面产生二维电子气（2DEG）的特性,设计了一种基于高电子迁移率场效应管（HEMT）的压强传感器;......
宽禁带半导体GaN具有禁带宽度大、击穿场强高、热导率大、电子饱和漂移速度高等特点,在高温以及微波功率器件制造领域具有极大的潜......
学位
氮化镓（GaN）作为近些年来迅猛发展起来的第三代半导体材料之一，同前两代半导体材料硅（Si）与砷化镓（GaAs）相比，GaN具有禁带宽、电子饱和率高......
探测器的研究是太赫兹研究领域的一个重要分支，利用深亚微米场效应管中等离子体波的激发，使我们能够制造出新的固态太赫兹器件，这将广......
学位
虽然Ga N基高电子迁移率场效应管（HEMT）在高频大功率器件方面具有突出的优势并已经在应用领域取得了重要的进展,但由于Ga N基HEMT器......
