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量子阱材料盖层对结构稳定性和能带隙的影响
量子阱材料盖层对结构稳定性和能带隙的影响
来源 :半导体技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wyakl1314
【摘 要】
:
介绍了应变量阱材料单结点失配位错能量平衡模型,计算了一些典型量子阱 阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变。报告了No.558压应变量子阱材料的实际阱层应变和No.9182材料非应变盖层对
【作 者】
:
丁国庆
【机 构】
:
武汉邮电科学研究院
【出 处】
:
半导体技术
【发表日期】
:
2000年1期
【关键词】
:
量子阱材料
盖层
结构稳定性
能带隙
Strained quantumwellCapwidthCritical strain
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介绍了应变量阱材料单结点失配位错能量平衡模型,计算了一些典型量子阱 阱层临界应变和应变体材料的最大允许应变。报告了No.558压应变量子阱材料的实际阱层应变和No.9182材料非应变盖层对有源层泊影响。
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