含氢a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射及其发光机理研究

来源 :科学通报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiangwei521521

【摘要】

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在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a-Si:H子层厚度的含氢a-Si:H/SiO2多层膜, 在

【作者】

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朱达马忠元梅嘉欣韩培高黄信凡陈坤基

【机构】

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南京大学物理系

【出处】

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科学通报

【发表日期】

：

2004年期

【关键词】

：

a-Si:H/SiO2多层膜等离子体氧化蓝光发射蓝移量子限制

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在等离子体增强化学气相淀积(PECVD)系统中, 采用a-Si:H层淀积与原位等离子体氧化相结合逐层生长的方法成功制备了一个系列的不同a-Si:H子层厚度的含氢a-Si:H/SiO2多层膜, 在室温下用肉眼观察到了较强的光致蓝光发射, 与此同时还观察到其发光峰峰位和吸收边随a-Si:H子层厚度的减小而逐渐蓝移. 对a-Si:H/SiO2多层膜的蓝光发射机制及氢的作用进行了分析和讨论.

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