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大剂量(4×10^16cm^-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中，并结合随后的1080C快速热处理(RTP)以形成Si／SiGe异质结构．用卢瑟福背散射技术和二次离子质谱技术研究注锗硅片退火前后Ge的分布．结果表明，快速热处理退火不仅能使注锗硅片发生固相外延生长，表层形成合金层，而且导致Ge向表面的质量运输．最终出现平台式的Ge分布形态．快速热处理后Ge这种再分布被认为有利于提高HBT的增益和获得表面应变沟道．