利用离子注入技术掺杂制作光电子器件时，需要了解离子注入材料的射程分布、射程离散和横向离散．介绍了用400keV能量的Nd离子分别垂直......

用400keV能量的铒离子垂直注入晶体硅（Si）样品中。利用卢瑟福背散射技术研究了能量为400keV、剂量为5×10^15ions／cm^2的铒离子注......

鉴于利用离子注入技术掺杂制作光电集成器件时,离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散对器件性能的影响,应用卢瑟福背......

大剂量(4×10^16cm^-2)的Ge离子在77K低温下被注入于(100)硅片中，并结合随后的1080C快速热处理(RTP)以形成Si／SiGe异质结构．用卢......

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布和横向离散规律等是很重要的.用200—500 keV......

利用离子注入掺杂技术设计、制作半导体集成器件时,了解离子注入半导体材料的射程分布、射程离散和横向离散规律等是很重要的.用40......