【摘 要】
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本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生长速率、暗电导率及微结构。p型微晶硅窗口层的厚度不均匀性随着气体流量的增加而增大，平均生长速率随着气体流量的增加而提高，材料的平均晶化率随着气体流量的增加而降低，平均暗电导率随气体流量的增加而减小。在薄膜厚度为32nm时，获得了最大平均暗电导率0.85S/cm、厚
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,南开大学光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,南开大学光电信息技术科学教育部重点实验室,天津 300071
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本文采用高压VHF-PECVD技术，通过改变反应气体流量的方法沉积了一系列大面积(平方米级)p型微晶硅窗口层材料，测试其厚度不均匀性、生长速率、暗电导率及微结构。p型微晶硅窗口层的厚度不均匀性随着气体流量的增加而增大，平均生长速率随着气体流量的增加而提高，材料的平均晶化率随着气体流量的增加而降低，平均暗电导率随气体流量的增加而减小。在薄膜厚度为32nm时，获得了最大平均暗电导率0.85S/cm、厚度不均匀性±4.9％、最大平均晶化率62％的高质量p型微晶硅窗口层材料。
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CdTe/CdS异质结是CdTe电池光电转换的核心部分。X射线光电子谱(XPS)是研究材料界面成分分布、能带结构的有力工具。我们使用化学水浴的方法在FTO薄膜上制备CdS膜，使用密闭空间升华的方法制备CdTe膜，对CdTe/CdS异质结进行CdCl2退火处理。采用Ar离子深度方向刻蚀，XPS测量的方法，分析CdTe/CdS界面。通过对退火前和退火后CdTe/CdS界面处S、Te的内层电子谱图的分析
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通过XRD、SEM谱，分析了三步蒸发工艺生长的电池吸收层Cu(In，Ga)Se2薄膜结构特性。在覆有Mo膜的玻璃衬底上，Cu(In，Ga)Se2薄膜沿(112)或(220/204)择优生长变化，其变化趋势极其依赖于Mo膜、衬底温度曲线等薄膜生长参数。通过工艺参数调整，获得了具有(220/204)择优取向的光伏质量吸收层薄膜，制备出的薄膜电池效率达到13.28％(总面积1.44 cm2，AM1.5)
为减少硅基薄膜太阳电池中的缺陷，使其恢复光伏特性，需要对其进行诊断治疗。采用电化学钝化技术，对不锈钢柔性衬底上n-i-p结构的非晶硅太阳电池进行了治疗，发现存在“短路”的太阳电池性能均有了不同程度的提高。将电化学钝化技术应用于不锈钢柔性衬底非晶硅/微晶硅叠层太阳电池的研制，获得了5.89％(25cm2，AMO，1353W/m2)和4.40％(73cm2，AM0，1353W/m2)的光电转换效率。
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