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采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增大.提出了一个简单模型解释了这一现象.
多晶硅薄膜晶化率对暗电导率的影响
【摘 要】
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采用氢等离子体加热的方法晶化a-Si:H薄膜制备多晶硅薄膜.用Raman散射谱进行结构表征和分析,研究了薄膜晶化率对暗电导率的影响.结果表明,暗电导率随着晶化率的增大而逐渐增
【机 构】
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韩山师范学院物理系
【出 处】
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韩山师范学院学报
【发表日期】
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2004年3期
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