【摘 要】
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研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布(x=0~1)的Zn SexTe1-x单
【机 构】
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中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室;
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目(61376058)
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研究了用分子束外延设备在GaAs(001)衬底上异质外延生长ZnSeTe单晶薄膜材料的工艺技术。在VI族元素富集条件下,通过调节Se/Zn束流比,制备了全组分分布(x=0~1)的Zn SexTe1-x单晶薄膜样品。XRD分析结果显示外延生长的ZnSeTe薄膜样品呈现出单一的闪锌矿晶体结构。在450和550℃氮气氛保护下对Zn Se0.70Te0.30样品做了快速热退火处理,退火后发现其晶体质量和表面形貌都得到了明显改善:双晶X射线摇摆曲线(DCXRC)(004)衍射峰的半峰宽(FWHM)从0.707 7°降低至0.571 9°,表面均方根粗糙度从2.44 nm降低至1.34 nm。采用点In电极做室温Hall测试的结果显示,本征ZnSeTe薄膜表面In电极之间的电阻值很高,外延薄膜呈现载流子浓度很低的高阻状态。
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