Optimum Parameters of MgZnSSe／ZnSe BRAQWET

来源 :半导体光子学与技术：英文版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：emperornjh

【摘要】

：

Atheoretical basis of optimally designed BRAQWET is presented.The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtained by the calculation of band-structure a

【作者】

：

SHIChang－xin K.Heime 等

【机构】

：

Inst.ofMicroelectron.Techn.,Inst.ofSemicond.Electron.

【出处】

：

半导体光子学与技术：英文版

【发表日期】

：

2000年4期

【关键词】

：

Ⅱ-Ⅵ族半导体优化参数能带结构 BRAQWET Ⅱ-Ⅵ semiconductors Band structure

【基金项目】

：

DeutschForschungsgemeinschaft (DFG )!(No .4 4 6CHV - 113 / 74 /O),,NaturalScienceFoundationofChina!(NO .693 70 0 1)

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Atheoretical basis of optimally designed BRAQWET is presented.The optimum parameters of MgZnSSe/ZnSe BRAQWET are obtained by the calculation of band-structure according to the depletion approximation.

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