X)Te相关论文
1.引言除其它半导体材料外,Cd_xHg_(1-x)Te因质优而可制作高品质红外光子探测器。探测度D_λ~*≥1×10~(10)厘米·赫~(1/2)·瓦~(......
采用分子束外延生长法在取向为的CdTeB面衬底上生长CdTe和Cd_xHg_(1-x)Te(CMT),CdTe的外延温度在25℃和250℃之间,而CMT的外延温......
在同一温度安瓿瓶中的不同过量组份条件下用“蒸发-冷凝-扩散”法于衬底上生长Cd_xHg_(1-x)Te外延层。研究了生长层的光和电物理性......
在封闭系统中往Pb_(0.79)Sn_(0.21)Te(100)基片上淀积载流子浓度在10~(17)/厘米~3范围内的P型Pb_(.79)Sn_(0.21)Te外延膜,速率为1.......
研究了85K时,x=0.195～0.22,平衡载流子浓度n_0=3×10~(14)～6×10~(15)厘米~(-3)的n型Cd_xHg_(1-x)Te晶体中的带间俄歇复合。导出实现......
在制备Cd_xHg_(1-x)Te晶体的铸造—再结晶—退火工艺中,最重要的一步是快速淬火,以便形成细小晶粒的多晶锭,然后进行高温退火促进......
采用汞蒸汽等离子体阴极溅射法,在一些CdTe衬底上(总面积为20厘米~2)同时生长了碲镉汞外延层。外延层和衬底之间的过渡区很窄(约80......
优质的外延Pb_xSn_(1-x)Te膜最初是在锗基片上制得的。用射频多阴极系统同时或逐个以不同速率从三个靶进行溅射成膜。当基片低于普......
使用Hg扩散方法,制备了克分子组分为0.18—1的外延渐变能隙Cd_xHg_(1-x)Te膜层的p—n结。测量了4.2—300K温度范围内电流—电压、......
采用汞蒸汽等离子体阴极溅射技术,已同时在几种CdTe衬底上(总面积为20cm~2)外延生长了Cd_xHg_(1-x)Te薄膜。薄膜在加热到310℃的衬......
用布里奇曼法慢速生长Cd_xHg_(1-x)Tg(CMT)晶体时,快速淬火可以揭示出淬火时的固/液界面。通过腐蚀纵向剖面而显示出来的界面的形......
用二乙基碲化物、二甲基镉和液体Hg作源材料在流动H_2中完成了Cd_xHg_(1-x)Te的外延生长。在生长富Hg的Cd_xHg_(1-x)Te时碰到的问......
本文第一次报导了Ⅱ-Ⅵ族半导体化合物Cd_xHg_(1-x)Te的分子束外延(MBE)。在MBE(111)CdTe表面上于100℃下完成外延。所用的三种材......
应用溅射技术,在具有[111]取向的CdTe衬底上生长出了Cd组分(x值)在0.14—0.4范围内、大面积(大到15平方厘米)的Cd_xHg_(1-x)Te外......
用文献[1]中描述的液相外延法研究了在CdTe衬底上由化学计量熔体制备的Cd_aHg_(1-a)Te合金的光致发光。大家知道,用这种方法获得......
