【摘 要】
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使用Hg扩散方法,制备了克分子组分为0.18—1的外延渐变能隙Cd_xHg_(1-x)Te膜层的p—n结。测量了4.2—300K温度范围内电流—电压、微分电阻、电容与偏压的函数关系,并讨论了载
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使用Hg扩散方法,制备了克分子组分为0.18—1的外延渐变能隙Cd_xHg_(1-x)Te膜层的p—n结。测量了4.2—300K温度范围内电流—电压、微分电阻、电容与偏压的函数关系,并讨论了载流子的输运机理,包括结内的产生—复合和隧道过程。分析了p—n结的电学性质和光电性质对外延Cd_xHg_(1-x)Te膜层物理和工艺参数的依赖关系。
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