【摘 要】
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利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP／GaInP多量子阱（MQW）外延片，通过实验找到了在周期数和阱／垒宽度比等结构参数上生产AlGaInP／GaInP MQW
【机 构】
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厦门大学信息科学与技术学院,福建水电学院
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利用金属有机物化学气相沉积（MOCVD）生长了不同周期的四元合金半导体材料AlGaInP／GaInP多量子阱（MQW）外延片，通过实验找到了在周期数和阱／垒宽度比等结构参数上生产AlGaInP／GaInP MQW的比较理想的结果．对常温下AlGaInP／GaInP MQW外延片的光学性质进行深入的分析和实验研究，发现当阱／垒宽度比a=0．56时，出光强度趋于饱和，当周期数目N=20时，FWHM减小到11．9nm，可在一定程度上达到改善MQW结构设计和提高材料生长质量的目的．
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