【摘 要】
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Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is induced by ion implantation of Si+ and t
【机 构】
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National Integrated Optoelectronics Laboratory,Laboratory of Semiconductor Material Sciences
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Si-Ge interdiffusion in Si1-xGex/Si multiple quantum-wells (MQW) is investigated by photocurrent spectroscopy, which is induced by ion implantation of Si+ and thermal annealing. The band gap energy of the Si1-xGex/Si samples implanted plus annealed has a blue shift up to 97meV compared to the annealed-only samples. The blue shift may be caused by the SiGe interdiffusion and the relaxation of the SiGe quantum wells.
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